[發明專利]半導體裝置和其制造方法

有效

• 申請號: 201810159644.3
• 申請日: 2018-02-26
• 公開（公告）號: CN108511354B
• 公開（公告）日: 2019-08-30
• 發明（設計）人: 邱盈達;黃上坤;邱詠達;宋振銘
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司;薛富盛
• 主分類號: H01L21/603
• 分類號: H01L21/603
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種用于制造半導體裝置的方法，其包括：

提供包含第一金屬接點的第一電子組件和包含第二金屬接點的第二電子組件；

改變所述第一金屬接點的晶格；以及

在壓力和溫度下將所述第一金屬接點接合到所述第二金屬接點。

2.根據權利要求1所述的方法，其中改變所述第一金屬接點的所述晶格包括在所述第一金屬接點上照射電磁輻射。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述電磁輻射的波長介于約200納米(nm)到約3000nm的范圍內。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述電磁輻射的所述波長介于約700nm到約1100nm的范圍內。

5.根據權利要求3所述的方法，其中所述電磁輻射的所述波長介于約200nm到約400nm的范圍內。

6.根據權利要求2所述的方法，其中所述第一金屬接點由所述電磁輻射照射達小于約15秒。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一金屬接點由所述電磁輻射照射達介于約5秒到約10秒的范圍內的時間周期。

8.根據權利要求2所述的方法，其中所述電磁輻射入射在所述第一金屬接點的待由所述第二金屬接點接觸的表面上。

9.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括改變所述第二金屬接點的晶格。

10.根據權利要求9所述的方法，其進一步包括在將所述第一金屬接點接合到所述第二金屬接點之前：

去氧化所述第一金屬接點和所述第二金屬接點；以及

使所述第一金屬接點與所述第二金屬接點對準。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一電子組件和所述第二電子組件選自芯片、晶片、插入件、襯底、電容器、電阻器、電感器或其組合中的任一個。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述壓力為約10兆帕斯卡(MPa)。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述溫度為約250攝氏度(℃)。

14.一種用于制造半導體裝置的方法，其包括：

提供包含第一金屬接點的第一電子組件和包含第二金屬接點的第二電子組件，所述第一金屬接點具有第一表面且所述第二金屬接點具有第二表面；

使所述第一金屬接點的所述第一表面處的晶格發生變形；以及

將所述第一金屬接點的所述第一表面接合到所述第二金屬接點的所述第二表面。

15.根據權利要求14所述的方法，其中使所述第一金屬接點的所述第一表面處的所述晶格發生變形包括在所述第一金屬接點的所述第一表面上照射電磁輻射。

16.根據權利要求15所述的方法，其中所述電磁輻射的波長介于約700nm到約1100nm的范圍內。

17.根據權利要求15所述的方法，其中所述電磁輻射的波長介于約200nm到約400nm的范圍內。

18.根據權利要求15所述的方法，其中所述第一金屬接點的所述第一表面由所述電磁輻射照射達小于約15秒。

19.根據權利要求15所述的方法，其中所述第一金屬接點的所述第一表面由所述電磁輻射照射達介于約5秒到約10秒的范圍內的時間周期。