[發明專利]沉積設備、顯示裝置的制造方法和通過該方法制造的顯示裝置在審
| 申請號: | 201810159300.2 | 申請日: | 2018-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN108538749A | 公開(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發明(設計)人: | 李相信 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/84;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 移動部 沉積源 襯底支承部 旋轉部 襯底 沉積設備 沉積裝置 顯示裝置 沉積腔 旋轉型 掩模 室內 沉積腔室 第一位置 角度布置 放射形 制造 | ||
1.沉積設備,包括:
沉積腔室;
多個襯底支承部,所述多個襯底支承部在所述沉積腔室內以第一位置為中心彼此間以第一角度布置成放射形;
多個掩模,所述多個掩模分別與固定至所述多個襯底支承部中的每個襯底支承部的多個襯底相對;以及
旋轉型沉積裝置,所述旋轉型沉積裝置包括:
旋轉部,所述旋轉部定位在所述沉積腔室內;
第一移動部和第二移動部,所述第一移動部和所述第二移動部在彼此成第二角度的狀態下結合至所述旋轉部;以及
第一沉積源和第二沉積源,所述第一沉積源和所述第二沉積源分別與所述第一移動部和所述第二移動部結合,并且分別與所述多個襯底中的兩個襯底相對。
2.如權利要求1所述的沉積設備,其中,所述第二角度與所述第一角度相同,并且所述第一沉積源和所述第二沉積源分別與所述多個襯底中相鄰的兩個襯底相對。
3.如權利要求1所述的沉積設備,其中,固定至所述多個襯底支承部的所述多個襯底中的每個具有一對第一邊和一對第二邊,所述第一邊與所第二邊彼此相交,并且定位在所述一對第一邊之間的虛擬中心線與以所述第一位置為中心延伸的放射方向一致。
4.如權利要求1所述的沉積設備,其中,所述旋轉部與所述第一位置相對應,并且所述第一移動部和所述第二移動部定位成與以所述第一位置為中心延伸的放射方向平行。
5.如權利要求4所述的沉積設備,其中,所述旋轉部旋轉與所述第一角度相等的角度,并且所述第一沉積源和所述第二沉積源根據所述旋轉部的旋轉而連續地與其他襯底相對。
6.如權利要求4所述的沉積設備,其中,所述第一沉積源和所述第二沉積源中的每個在通過所述第一移動部和所述第二移動部中的每個進行直線移動的同時發射沉積物質。
7.如權利要求6所述的沉積設備,其中,所述第一沉積源和所述第二沉積源中的至少一個在進行兩次以上的直線移動的同時發射沉積物質,以增加沉積到所述襯底上的薄膜的厚度。
8.如權利要求1所述的沉積設備,其中,所述第一沉積源和所述第二沉積源中的一個發射用于沉積彩色輔助層的物質,且另一個發射用于沉積彩色層的物質。
9.如權利要求1所述的沉積設備,其中,在所述多個襯底支承部的中心的所述第一位置處定位有輸送機器人,并且所述旋轉部與所述輸送機器人相隔開預定距離并且定位在所述輸送機器人的正下方。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





