[發明專利]沉積設備、顯示裝置的制造方法和通過該方法制造的顯示裝置在審
| 申請號: | 201810159300.2 | 申請日: | 2018-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN108538749A | 公開(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發明(設計)人: | 李相信 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/84;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 移動部 沉積源 襯底支承部 旋轉部 襯底 沉積設備 沉積裝置 顯示裝置 沉積腔 旋轉型 掩模 室內 沉積腔室 第一位置 角度布置 放射形 制造 | ||
沉積設備包括沉積腔室、多個襯底支承部、多個掩模、旋轉型沉積裝置。多個襯底支承部在沉積腔室內以第一位置為中心彼此間以第一角度布置成放射形。多個掩模分別與固定在多個襯底支承部中的每個上的多個襯底相對。旋轉型沉積裝置包括旋轉部、第一移動部、第二移動部、第一沉積源和第二沉積源,其中,旋轉部定位在沉積腔室內,第一移動部和第二移動部彼此間成第二角度并且與旋轉部結合,并且第一沉積源和第二沉積源分別與第一移動部和第二移動部結合并且分別與多個襯底中的兩個襯底相對。
技術領域
本公開涉及沉積設備,更具體地,涉及用于沉積顯示裝置的發光層的沉積設備、使用沉積設備制造顯示裝置的方法和通過該方法制造的顯示裝置。
背景技術
諸如發光顯示裝置的顯示裝置包括第一電極、第二電極以及位于第一電極與第二電極之間的發光層。第一電極和第二電極中的一個為空穴注入電極,且另一個為電子注入電極。發光層形成為由多個薄膜層疊的多層膜。例如,發光層可包括藍色層、紅色層和綠色層,并且還可包括至少一個輔助層。
發光層可在沉積設備中通過沉積法形成。沉積設備可包括腔室、沉積源、襯底支承部和掩模等,其中,沉積源和襯底支承部位于腔室的內部,并且掩模具有與待形成在襯底上的薄膜相同的開口圖案。通常的沉積設備具有與構成發光層的薄膜的數量相同數量的腔室,并且隨著襯底順序地經過多個腔室,依次實現薄膜的沉積。
發明內容
本公開的目的在于提供能夠通過減少腔室和掩模的數量來容易地進行發光層的沉積的同時減少不良件產生的沉積設備、使用該沉積設備制造顯示裝置的方法以及通過該方法制造的顯示裝置。
根據一實施方式的沉積設備包括沉積腔室、多個襯底支承部、多個掩模、旋轉型沉積裝置。多個襯底支承部在沉積腔室內以第一位置為中心彼此間以第一角度布置成放射形。多個掩模分別與固定至多個襯底支承部中的每個襯底支承部的多個襯底相對。旋轉型沉積裝置包括旋轉部、第一移動部、第二移動部、第一沉積源和第二沉積源,其中,旋轉部定位在沉積腔室內,第一移動部和第二移動部在彼此成第二角度的狀態下結合至旋轉部,并且第一沉積源和第二沉積源分別與第一移動部和第二移動部結合并且分別與多個襯底中的兩個襯底相對。
第二角度可與第一角度相同,并且第一沉積源和第二沉積源可分別與多個襯底中相鄰的兩個襯底相對。固定在多個襯底支承部上的多個襯底中的每個可具有一對第一邊和一對第二邊,第一邊與第二邊彼此相交,并且定位在一對第一邊之間的虛擬中心線可與以第一位置為中心延伸的放射方向一致。
旋轉部可與第一位置相對應,并且第一移動部和第二移動部可定位成與以第一位置為中心延伸的放射方向平行。旋轉部可旋轉與第一角度相等的角度,并且第一沉積源和第二沉積源可根據旋轉部的旋轉連續地與其他襯底相對。
第一沉積源和第二沉積源中的每個可在通過第一移動部和第二移動部中的每個而進行直線移動的同時發射沉積物質。第一沉積源和第二沉積源中的至少一個可在進行兩次以上的直線移動的同時發射沉積物質,以增加沉積到襯底上的薄膜的厚度。
第一沉積源和第二沉積源中的一個可放射用于沉積彩色輔助層的物質,且另一個可發射用于沉積彩色層的物質。在多個襯底支承部的中心的第一位置處可定位有輸送機器人,并且旋轉部可與輸送機器人相隔開預定距離并且定位在輸送機器人的正下方。
根據一實施方式的顯示裝置的制造方法包括以下步驟:在沉積腔室內以第一位置為中心,將第一襯底、第二襯底和第三襯底彼此以第一角度布置成放射形;將掩模對齊到第一襯底、第二襯底和第三襯底中的每個;將第一沉積源定位在第一襯底的下方,并且將第二沉積源定位在第二襯底的下方;使第一沉積源和第二沉積源在進行直線移動的同時朝向第一襯底和第二襯底發射沉積物質;以及使第一沉積源和第二沉積源旋轉與第一角度相等的角度,使得第一沉積源定位在第二襯底的下方且第二沉積源定位在第三襯底的下方。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





