[發(fā)明專利]氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)及熱處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810158626.3 | 申請日: | 2018-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN108538748B | 公開(公告)日: | 2023-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 永田朋幸;岡部庸之 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氣體 導(dǎo)入 機(jī)構(gòu) 熱處理 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)及熱處理裝置,能夠防止氣體在歧管與噴射器的連接部分泄漏。一實施方式的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)具有:縱長的處理容器;噴射器,其沿著所述處理容器的內(nèi)周壁的縱向方向設(shè)置,并且被設(shè)為至少在所述處理容器的下部與所述內(nèi)周壁之間具有間隔;歧管,其從下方支承所述噴射器;推壓力產(chǎn)生構(gòu)件,其在所述噴射器的下部對所述噴射器施加從下方朝向上方的推壓力;以及限制構(gòu)件,其用于限制所述噴射器向上方移動。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)及熱處理裝置。
背景技術(shù)
目前,已知有一種這樣的基板處理裝置:在用于支承處理容器的下端的歧管安裝有直管形狀的噴射器,借助噴射器向處理容器內(nèi)供給氣體(參照例如專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2015-185578號公報
發(fā)明內(nèi)容
然而,在具有直管形狀的噴射器的基板處理裝置中,為了能夠容易地向歧管安裝噴射器,有時在歧管與噴射器的連接部分設(shè)有較小的間隙。在該情況下,在借助噴射器向處理容器內(nèi)導(dǎo)入氣體時,存在氣體從上述間隙向處理容器內(nèi)泄漏的隱患。
因此,本發(fā)明的一技術(shù)方案的目的在于提供一種能夠防止氣體在歧管與噴射器的連接部分處泄漏的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)。
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明的一技術(shù)方案的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)具有:縱長的處理容器;噴射器,其沿著所述處理容器的內(nèi)周壁的縱向方向設(shè)置,并且被設(shè)為至少在所述處理容器的下部與所述內(nèi)周壁之間具有間隔;歧管,其從下方支承所述噴射器;推壓力產(chǎn)生構(gòu)件,其在所述噴射器的下部對所述噴射器施加從下方朝向上方的推壓力;以及限制構(gòu)件,其用于限制所述噴射器向上方移動。
采用公開的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu),能夠防止氣體在歧管與噴射器的連接部分泄漏。
附圖說明
圖1是第1實施方式的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)及熱處理裝置的一例的概略圖。
圖2是第1實施方式的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)的一例的概略圖(1)。
圖3是第1實施方式的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)的一例的概略圖(2)。
圖4是第1實施方式的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)的一例的概略圖(3)。
圖5是第2實施方式的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)的一例的概略圖(1)。
圖6是第2實施方式的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)的一例的概略圖(2)。
圖7是第2實施方式的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)的一例的概略圖(3)。
圖8是第2實施方式的氣體導(dǎo)入機(jī)構(gòu)的一例的概略圖(4)。
10、處理容器;40、加熱單元;90、歧管;92、凹部;93、小徑部;94、大徑部;95、臺階部;96、限制部;97、嵌合孔;100、噴射器;103、插入部;104、凸緣部;130、限制構(gòu)件;140、焊接波紋管。
具體實施方式
以下,參照附圖說明用于實施本發(fā)明的方式。其中,在本說明書及附圖中,對實際上相同的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記,而省略重復(fù)的說明。
〔第1實施方式〕
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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