[發明專利]氣體導入機構及熱處理裝置有效
| 申請號: | 201810158626.3 | 申請日: | 2018-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN108538748B | 公開(公告)日: | 2023-07-28 |
| 發明(設計)人: | 永田朋幸;岡部庸之 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體 導入 機構 熱處理 裝置 | ||
1.一種氣體導入機構,其中,
該氣體導入機構具有:
縱長的處理容器;
噴射器,其沿著所述處理容器的內周壁的縱向方向設置,并且被設為至少在所述處理容器的下部與所述內周壁之間具有間隔;
歧管,其從下方支承所述噴射器;
推壓力產生構件,其在所述噴射器的下部對所述噴射器施加從下方朝向上方的推壓力;以及
限制構件,其用于限制所述噴射器向上方移動,
其中,所述噴射器具有:插入部,其形成于下端部;以及凸緣部,其在所述插入部的上方自外周面向徑向外側延伸地形成,能夠與所述限制構件抵接,
所述歧管具有能夠外嵌于所述插入部而對該插入部進行支承的凹部,
所述凹部具有:
小徑部,其供所述插入部插入;
大徑部,其設在比所述小徑部靠上方的位置,開口徑比所述小徑部的開口徑大;以及
臺階部,其連接所述小徑部和所述大徑部。
2.根據權利要求1所述的氣體導入機構,其中,
所述凸緣部的外徑比所述小徑部的開口徑大,且比所述大徑部的開口徑小。
3.根據權利要求1或2所述的氣體導入機構,其中,
所述推壓力產生構件是一端固定于所述臺階部且另一端固定于所述凸緣部的下表面的彈性構件。
4.根據權利要求3所述的氣體導入機構,其中,
所述彈性構件是焊接波紋管。
5.根據權利要求1或2所述的氣體導入機構,其中,
所述限制構件被設為固定于所述歧管的上表面。
6.根據權利要求1或2所述的氣體導入機構,其中,
所述限制構件與所述歧管一體地形成在所述大徑部的上方,具有能夠供所述插入部及所述凸緣部貫穿的嵌合孔。
7.根據權利要求6所述的氣體導入機構,其中,
所述嵌合孔是孔的形狀形成為雙面切割形狀的雙面切孔,
所述凸緣部是與所述嵌合孔相對應地將外周形狀加工成雙面切割形狀的雙面切割部。
8.根據權利要求6所述的氣體導入機構,其中,
所述嵌合孔是孔的形狀形成為D形切割形狀的D形切孔,
所述凸緣部是與所述嵌合孔相對應地將外周形狀加工成D形切割形狀的D形切割部。
9.一種熱處理裝置,其中,
該熱處理裝置包括:
權利要求1~8中的任一項所述的氣體導入機構;以及
加熱單元,其用于從外側對所述處理容器加熱。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





