[發(fā)明專利]一種電力用逆變電路裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810157543.2 | 申請日: | 2018-02-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108364940A | 公開(公告)日: | 2018-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 韓德軍 | 申請(專利權(quán))人: | 韓德軍 |
| 主分類號(hào): | H01L25/07 | 分類號(hào): | H01L25/07;H01L25/18;H01L23/495;H01L23/373 |
| 代理公司: | 石家莊君聯(lián)專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 13125 | 代理人: | 趙立軍 |
| 地址: | 262700 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 逆變電路 電連接 散熱 垂直布置 第二電極 橫向空間 絕緣基板 絕緣顆粒 散熱效果 塑封樹脂 電極板 粘結(jié)劑 短路 焊線 通孔 壓焊 芯片 流動(dòng) | ||
1.一種電力用逆變電路裝置,其包括:
陶瓷基板,其具有相對的第一表面和第二表面,在所述第一表面上設(shè)置有彼此電隔離的第一導(dǎo)電圖案、第二導(dǎo)電圖案和第三導(dǎo)電圖案,在所述第二表面上設(shè)置有第四導(dǎo)電圖案,并且在所述第一表面上設(shè)置有兩個(gè)凹槽,所述凹槽位于第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案之間以及第一導(dǎo)電圖案與第三導(dǎo)電圖案之間;
第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件,所述第一半導(dǎo)體元件具有相對的第三表面和第四表面,所述第三表面上具有第一電極,所述第四表面上具有第二電極和第三電極;所述第二半導(dǎo)體元件具有相對的第五表面和第六表面,所述第五表面上具有第四電極,所述第六表面上具有第五電極;所述凹槽內(nèi)設(shè)置有粘合膠,用于將第一半導(dǎo)體元件和第二半導(dǎo)體元件粘結(jié)于 所述凹槽內(nèi);所述第一半導(dǎo)體元件與第二半導(dǎo)體元件分別部分的、垂直插入所述凹槽內(nèi),且露出所述第一電極的一部分、第二電極的一部分、第三電極的全部、第四電極的一部分以及第五電極的一部分,所述第三表面與第五表面相向的設(shè)置;所述第一電極通過第一導(dǎo)電粘結(jié)劑電連接于所述第一導(dǎo)電圖案,所述第二電極通過第二導(dǎo)電粘結(jié)劑電連接所述第二導(dǎo)電圖案,所述第四電極通過第三導(dǎo)電粘結(jié)劑電連接于所述第三導(dǎo)電圖案,所述第五電極通過第四導(dǎo)電粘結(jié)劑電連接于所述第一導(dǎo)電圖案;
第一電極板、第二電極板和第三電極板,所述第一電極板通過焊料電連接于所述第一導(dǎo)電圖案,所述第二電極板通過焊料電連接于第二導(dǎo)電圖案,所述第三電極板的第一連接段通過第五導(dǎo)電粘結(jié)劑電連接于所述第三電極,所述第三電極板的第二連接段通過第六導(dǎo)電粘結(jié)劑電連接于所述第三導(dǎo)電圖案;并且所述第一連接段上設(shè)置有一通孔,所述通孔中部分地填充有第五導(dǎo)電粘結(jié)劑;
塑封樹脂,密封所述第一半導(dǎo)體元件、第二半導(dǎo)體元件、第三電極板以及第一電極板和第二電極板的部分,并至少露出所述第一電極板和第二電極板的外連端子;還包括殼體,所述殼體位于所述陶瓷基板上,且環(huán)繞所述塑封樹脂,所述陶瓷基板的兩端部部分的插入所述殼體內(nèi);所述塑封樹脂內(nèi)均勻分散有散熱陶瓷顆粒,所述陶瓷顆粒的材質(zhì)選自SiC、Al2O3、SiO2和Si3N4的一種或多種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力用逆變電路裝置,其特征在于:所述第一至第五導(dǎo)電粘結(jié)劑為焊料、導(dǎo)電固化樹脂或?qū)щ娪湍?/p>
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力用逆變電路裝置,其特征在于:所述第一電極板和第二電極板為引線框架。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力用逆變電路裝置,其特征在于:還包括散熱器,所述散熱器貼附于第四導(dǎo)電圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力用逆變電路裝置,其特征在于:所述第一半導(dǎo)體元件為IGBT或MOSFET芯片,所述第二半導(dǎo)體芯片為二極管。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于韓德軍,未經(jīng)韓德軍許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810157543.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





