[發明專利]晶片封裝方法有效
| 申請號: | 201810156923.4 | 申請日: | 2018-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN108346623B | 公開(公告)日: | 2020-02-11 |
| 發明(設計)人: | 張文遠;徐業奇;呂學忠;陳偉政 | 申請(專利權)人: | 上海兆芯集成電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/98 | 分類號: | H01L21/98;H01L23/31 |
| 代理公司: | 11277 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電柱 晶片 封裝材料 重布線路結構 連接路徑 晶片封裝 電連接 移除 載板 種晶 封裝 配置 暴露 覆蓋 | ||
1.一種晶片封裝方法,其特征在于,包括:
將多個第一晶片配置在載板上,其中各該第一晶片具有第一有源面,且多個第一導電柱配置在各該第一有源面上;
經由多個第二導電柱將第二晶片的第二有源面電連接該多個第一晶片的多個第一有源面;
形成封裝材料,該封裝材料覆蓋該多個第一晶片、該多個第一導電柱、該第二晶片及該多個第二導電柱;
部分地移除該封裝材料,以暴露出各該第一導電柱;以及
在該封裝材料上形成重布線路結構,其中該重布線路結構連接該多個第一導電柱,
其中,該多個第二導電柱的分布密度大于該多個第一導電柱的分布密度。
2.根據權利要求1所述的晶片封裝方法,其特征在于,該多個第二導電柱在該多個第一晶片的正投影面積不大于該多個第一導電柱在該多個第一晶片的正投影面積。
3.根據權利要求1所述的晶片封裝方法,其特征在于,該多個第二導電柱相對于該第一有源面的高度不大于該多個第一導電柱相對于該第一有源面的高度。
4.根據權利要求1所述的晶片封裝方法,其特征在于,該多個第一晶片經由該重布線路結構彼此電連接。
5.根據權利要求1所述的晶片封裝方法,其特征在于,在部分地移除該封裝材料之后,該封裝材料維持覆蓋該第二晶片。
6.根據權利要求1所述的晶片封裝方法,其特征在于,還包括:
在形成該重布線路結構之后,移除該載板。
7.根據權利要求1所述的晶片封裝方法,其特征在于,還包括:
在形成該封裝材料之前,將支撐結構配置在該載板上并圍繞該多個第一晶片,且在形成該封裝材料之后,該封裝材料覆蓋該支撐結構。
8.根據權利要求7所述的晶片封裝方法,其特征在于,還包括:
在形成該重布線路結構之后,移除該載板;以及
在移除該載板之后,切割該支撐結構,使得該支撐結構裸露于該封裝材料的側面。
9.根據權利要求7所述的晶片封裝方法,其特征在于,還包括:
在形成該重布線路結構之后,切割該支撐結構,使得該支撐結構裸露于該封裝材料的側面及該載板的側面。
10.根據權利要求1所述的晶片封裝方法,其特征在于,還包括:
在形成該重布線路結構之后,保留該載板作為散熱件。
11.根據權利要求1所述的晶片封裝方法,其特征在于,該重布線路結構包括多個圖案化導電層、多個介電層及多個導電孔道,該多個介電層與該多個圖案化導電層交替疊合,且各該導電孔道位于對應的該介電層中并電連接對應的該多個圖案化導電層。
12.根據權利要求1所述的晶片封裝方法,其特征在于,還包括:
在形成該重布線路結構之后,在該重布線路結構的多個重布線路接墊的每個重布線路接墊上形成導電接點。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





