[發明專利]陶瓷金屬涂層

在審

• 申請號: 201810156140.6
• 申請日: 2018-02-23
• 公開（公告）號: CN108505000A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 托馬斯·諾蘭;羅桑杰拉·利迪策;史維·辛格
• 申請（專利權）人: 法雷奧北美有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54;C23C14/06;C23C14/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

1.一種處理和涂覆部件的方法，所述方法包括：

將所述部件放置在磁控濺射設備的真空腔中；

在所述真空腔中激發等離子體；

通過所述等離子體交替地或同時地以第一功率水平濺射第一靶和以第二功率水平濺射第二靶；

使所濺射的第一靶、所濺射的第二靶和反應氣體的組分進行化學反應；

將化學反應后的組分的涂層沉積到所述部件上；以及

控制所述磁控濺射設備的一個或多個工藝參數以產生沉積到所述部件上的所述涂層的預定顏色。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一靶包括鈦，以及所述第二靶包括鋁。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述等離子體期間將工作氣體引入所述真空腔。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述工作氣體是第二反應氣體。

5.根據權利要求2所述的方法，其中，所述反應氣體包括氮氣、乙炔、或氮氣與乙炔的組合中的一種。

6.根據權利要求3所述的方法，其中，所述工藝參數包括所述反應氣體的流量、所述工作氣體的流量、所述第一功率水平、所述第二功率水平、以及交替或同時濺射的時間。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述部件包括聚碳酸酯或高溫聚碳酸酯中的一個。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在沉積所述涂層之前對所述部件施加輝光放電。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括：

在施加所述輝光放電之后并且在沉積所述涂層之前將基底層施加到所述部件。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述基底層包括鈦層或鋁層中的一個。

11.根據權利要求1所述的方法，還包括：

將所述涂層沉積到所述部件上之后，在所述部件上施加保護層。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述保護層包括六甲基二硅氧烷(HMDSO)或四甲基二硅氧烷(TMDSO)中的一種。

13.一種磁控濺射設備，包括：

第一獨立濺射靶電源；

第二獨立濺射靶電源；

工作氣體端口；

反應氣體端口；

真空腔，被配置為：容納所述第一獨立濺射靶電源、所述第二獨立濺射靶電源、所述工作氣體端口、所述反應氣體端口和平臺，所述平臺用于放置由所述磁控濺射設備進行涂層沉積的部件；以及

處理電路，被配置為：

通過在所述第一獨立濺射靶電源和所述第二獨立濺射靶電源之間交替地切換來分別交替地濺射第一靶和第二靶，以及

控制一個或多個工藝參數以產生沉積在所述部件上的所述涂層的預定顏色。

14.根據權利要求13所述的磁控濺射設備，其中，所述處理電路還被配置為：控制經由所述反應氣體端口被引入所述真空腔中的反應氣體的流量。

15.根據權利要求13所述的磁控濺射設備，其中，所述處理電路還被配置為：獨立地控制沉積到所述部件上的所濺射的第一靶的量和所濺射的第二靶的量。

16.根據權利要求15所述的磁控濺射設備，其中，所述處理電路還被配置為：通過控制所述第一獨立濺射靶電源的功率水平和所述第二獨立濺射靶電源的功率水平，來控制沉積到所述部件上的所濺射的第一靶的量和所濺射的第二靶的量。