[發(fā)明專利]芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810154887.8
• 申請(qǐng)日: 2018-02-23
• 公開（公告）號(hào): CN109841602A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許翰誠(chéng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/065
• 分類號(hào): H01L25/065;H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 吳志紅;臧建明

本發(fā)明提供一種芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板、至少兩個(gè)芯片、至少兩納米碳管層、多條導(dǎo)線以及封裝膠體。兩個(gè)芯片分別配置于基板上，其中一個(gè)芯片位于基板與另一個(gè)芯片之間。其中一個(gè)納米碳管層配置于其中一個(gè)芯片的主動(dòng)表面與另一個(gè)芯片的背表面之間。另一個(gè)納米碳管層配置于另一個(gè)芯片的主動(dòng)表面上。導(dǎo)線配置用以電性連接其中一個(gè)芯片與基板，以及電性連接另一個(gè)芯片與基板。封裝膠體配置于基板上，并包覆芯片、納米碳管層以及導(dǎo)線。本發(fā)明具有良好的散熱效率及可靠度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

目前，為使芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)具有良好的散熱效率，大多的作法是使上層芯片的上表面暴露于封裝膠體外，或者是將散熱片貼附于上層芯片并使散熱片的上表面暴露于封裝膠體外，以使芯片運(yùn)行時(shí)所產(chǎn)生的熱可逸散至外界。

然而，采用上述散熱手段，下層芯片運(yùn)行時(shí)所產(chǎn)生的熱并無(wú)法有效地逸散至外界而不斷地累積于下層芯片，使得芯片可能會(huì)因?yàn)檫^(guò)熱而導(dǎo)致效能衰減或使用壽命縮短，甚至是損毀，進(jìn)而影響芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)的可靠度。因此，如何進(jìn)一步地提升芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)的散熱效率，已成目前亟待解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)，具有良好的散熱效率及可靠度。

本發(fā)明的芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)包括基板、至少兩個(gè)芯片、至少兩個(gè)納米碳管層、多條導(dǎo)線以及封裝膠體。兩芯片分別配置于基板上，其中一個(gè)芯片位于基板與另一個(gè)芯片之間。其中一個(gè)納米碳管層配置于其中一個(gè)芯片的主動(dòng)表面與另一個(gè)芯片的背表面之間。另一個(gè)納米碳管層配置于另一個(gè)芯片的主動(dòng)表面上。導(dǎo)線配置用以電性連接其中一個(gè)芯片與基板，以及電性連接另一個(gè)芯片與基板。封裝膠體配置于基板上，并包覆芯片、納米碳管層以及導(dǎo)線。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的納米碳管層包括多條納米碳管及多個(gè)導(dǎo)熱材，且導(dǎo)熱材填充于對(duì)應(yīng)的納米碳管內(nèi)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的納米碳管彼此交錯(cuò)相疊而呈網(wǎng)格狀。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的其中一個(gè)納米碳管層自其中一個(gè)芯片的主動(dòng)表面沿著其側(cè)表面延伸至基板上，且另一個(gè)納米碳管層自另一個(gè)芯片的主動(dòng)表面沿著其側(cè)表面延伸至基板上。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的延伸至基板上的其中一個(gè)納米碳管層與基板的導(dǎo)熱通孔相接觸，且延伸至基板上的另一個(gè)納米碳管層與其中一個(gè)納米碳管層相接觸。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)還包括至少一個(gè)膠層。膠層連接另一個(gè)芯片的背表面，且位于其中一個(gè)芯片的主動(dòng)表面與另一個(gè)芯片的背表面之間。膠層用以黏著固定配置于其中一個(gè)芯片的主動(dòng)表面與另一個(gè)芯片的背表面之間的其中一個(gè)納米碳管層，并黏著固定兩芯片。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的膠層包括液態(tài)膠(例如是銀膠或不導(dǎo)電膠)、黏晶膠(DAF)或線包覆膠膜(film over wire，F(xiàn)OW)。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)還包括至少一個(gè)黏著層。黏著層連接其中一個(gè)芯片的主動(dòng)表面，且位于其中一個(gè)芯片的主動(dòng)表面與另一個(gè)芯片的背表面之間。黏著層用以黏著固定配置于其中一個(gè)芯片的主動(dòng)表面與另一個(gè)芯片的背表面之間的其中一個(gè)納米碳管層，并黏著固定兩芯片。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的其中一個(gè)納米碳管層在其中一個(gè)芯片的主動(dòng)表面上的正投影面積小于其中一個(gè)芯片的主動(dòng)表面的面積。另一個(gè)納米碳管層在另一個(gè)芯片的主動(dòng)表面上的正投影面積小于另一個(gè)芯片的主動(dòng)表面的面積。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的另一個(gè)芯片在其中一個(gè)芯片的主動(dòng)表面上的正投影覆蓋其中一個(gè)納米碳管層在其中一個(gè)芯片的主動(dòng)表面上的正投影。