[發明專利]芯片堆疊封裝結構在審
| 申請號: | 201810154887.8 | 申請日: | 2018-02-23 |
| 公開(公告)號: | CN109841602A | 公開(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發明(設計)人: | 許翰誠 | 申請(專利權)人: | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/065 | 分類號: | H01L25/065;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 吳志紅;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 基板 納米碳管層 芯片堆疊封裝結構 電性連接 封裝膠體 主動表面 配置 包覆芯片 導線配置 多條導線 散熱效率 背表面 可靠度 | ||
1.一種芯片堆疊封裝結構,其特征在于,包括:
基板;
至少兩個芯片,分別配置于基板上,其中一個所述芯片位于所述基板與另一個所述芯片之間;
至少兩個納米碳管層,其中一個所述納米碳管層配置于其中一個所述芯片的主動表面與另一個所述芯片的背表面之間,且另一個所述納米碳管層配置于另一個所述芯片的主動表面上;
多條導線,配置用以電性連接其中一個所述芯片與所述基板以及電性連接另一個所述芯片與所述基板;以及
封裝膠體,配置于所述基板上,并包覆所述至少兩個芯片、所述至少兩個納米碳管層以及所述多個導線。
2.根據權利要求1所述的芯片堆疊封裝結構,其特征在于,各所述納米碳管層包括多條納米碳管及多個導熱材,各所述導熱材填充于對應的各所述納米碳管內。
3.根據權利要求2所述的芯片堆疊封裝結構,其特征在于,多個所述納米碳管彼此交錯相疊而呈網格狀。
4.根據權利要求1所述的芯片堆疊封裝結構,其特征在于,所述納米碳管層自其中一個所述芯片的主動表面沿著其側表面延伸至所述基板上,且另一個所述納米碳管層自另一個所述芯片的主動表面沿著其側表面延伸至所述基板上。
5.根據權利要求4所述的芯片堆疊封裝結構,其特征在于,延伸至所述基板上的其中一個所述納米碳管層與所述基板的導熱通孔相接觸,且延伸至所述基板上的另一個所述納米碳管層與其中一個所述納米碳管層相接觸。
6.根據權利要求1所述的芯片堆疊封裝結構,其特征在于,還包括:
至少一個膠層,連接另一個所述芯片的背表面,且位于其中一個所述芯片的主動表面與另一個所述芯片的背表面之間,用以黏著固定配置于其中一個所述芯片的主動表面與另一個所述芯片的背表面之間的其中一個所述納米碳管層,并黏著固定所述至少兩個芯片。
7.根據權利要求6所述的芯片堆疊封裝結構,其特征在于,所述至少一個膠層包括液態膠、黏晶膠或線包覆膠膜。
8.根據權利要求6所述的芯片堆疊封裝結構,其特征在于,還包括:
至少一個黏著層,連接其中一個所述芯片的主動表面,且位于其中一個所述芯片的主動表面與另一個所述芯片的背表面之間,用以黏著固定配置于其中一個所述芯片的主動表面與另一個所述芯片的背表面之間的其中一個所述納米碳管層,并黏著固定所述至少兩個芯片。
9.根據權利要求1所述的芯片堆疊封裝結構,其特征在于,所述納米碳管層在其中一個所述芯片的主動表面上的正投影面積小于其中一個所述芯片的主動表面的面積,且另一個所述納米碳管層在另一個所述芯片的主動表面上的正投影面積小于另一個所述芯片的主動表面的面積。
10.根據權利要求1所述的芯片堆疊封裝結構,其特征在于,另一個所述芯片在其中一個所述芯片的主動表面上的正投影覆蓋其中一個所述納米碳管層在其中一個所述芯片的主動表面上的正投影。
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