[發明專利]一種離子注入設備及其離子注入方法

有效

• 申請號: 201810154566.8
• 申請日: 2018-02-23
• 公開（公告）號: CN108364862B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 呂雪峰;周炟;羅康;莫再隆
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01J37/317
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

本發明公開了一種離子注入設備及其離子注入方法，對離子注入設備進行改造，在工藝腔與分析磁場之間增加空置擋板，空置擋板在離子注入以外的時段隔離工藝腔與分析磁場，可以減少工藝腔中的剝落物，降低特性亮暗點發生率，實現高品質顯示畫面。且可有效緩解工藝腔被污染的速度，提高其自清潔能力，從而延長工藝腔開腔清潔的周期。并且，在工程師打開工藝腔進行清潔之前，關閉空置擋板，使分析磁場和工藝腔分開，分析磁場的真空環境得以保留，在后續只需要對工藝腔恢復真空即可，可減少設備停機時間，可以從12小時減少到6小時。

技術領域

本發明涉及顯示制造技術領域，尤其涉及一種離子注入設備及其離子注入方法。

背景技術

離子注入技術是在半導體制造行業中精準可控地調節薄膜晶體管(TFT，ThinFilm Transistor)溝道閾值電壓和半導體層接觸電阻的技術。在現有的離子注入機中，工藝氣體及設備本身產生的剝落物(副產物)容易遮擋離子束引起注入異常，導致由TFT控制的顯示屏特性亮暗點不良的發生，尤其是在對TFT要求較為嚴格的有機電致發光顯示面板(OLED，Organic Light Emitting Display)中尤為明顯，這已經成為了注入性能的主要制約。

因此，如何有效降低注入腔即工藝腔中的懸浮剝落物含量，有效避免離子束被遮擋引起的電性異常，從而從源頭降低特性亮暗點不良的發生率，是本領域亟需解決的技術問題。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種離子注入設備及其離子注入方法，用以解決現有的工藝腔內懸浮剝落物含量較大的問題。

本發明實施例提供了一種離子注入設備，包括：傳送腔，與所述傳送腔通過閥門連接的工藝腔，通過束流腔與所述工藝腔連接的分析磁場，以及與所述分析磁場連接的離子源；其中，

在所述工藝腔與所述分析磁場之間具有空置擋板，所述空置擋板用于在離子注入以外的時段，隔離所述工藝腔與所述分析磁場。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述離子注入設備中，還包括：第一法拉第杯和第二法拉第杯；

所述第一法拉第杯位于所述空置擋板面向所述分析磁場的表面；

所述第二法拉第杯位于所述工藝腔面向所述分析磁場的表面。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述離子注入設備中，所述空置擋板位于所述束流腔與所述分析磁場連接處的內壁和/或外壁。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述離子注入設備中，所述空置擋板位于所述束流腔內的束流孔面向所述工藝腔的側壁和/或所述束流腔內的束流孔面向所述分析磁場的側壁。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述離子注入設備中，所述空置擋板位于所述束流腔與所述工藝腔連接處的外壁和/或內壁。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述離子注入設備中，還包括：與所述工藝腔連接的第一分子泵，以及與所述第一分子泵連接的第一干泵。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述離子注入設備中，還包括：與所述傳送腔連接的第二分子泵，以及與所述第二分子泵連接的第二干泵。

另一方面，本發明實施例還提供了一種使用上述離子注入設備進行離子注入的方法，包括：

在離子注入時段，控制所述空置擋板處于打開狀態，以導通所述工藝腔與所述分析磁場；

在離子注入以外的時段，控制所述空置擋板處于閉合狀態，以隔離所述工藝腔與所述分析磁場。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述方法中，所述在離子注入以外的時段，控制所述空置擋板處于閉合狀態，以隔離所述工藝腔與所述分析磁場，具體包括：