[發明專利]一種離子注入設備及其離子注入方法

有效

• 申請號: 201810154566.8
• 申請日: 2018-02-23
• 公開（公告）號: CN108364862B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 呂雪峰;周炟;羅康;莫再隆
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01J37/317
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種離子注入設備，其特征在于，包括：傳送腔，與所述傳送腔通過閥門連接的工藝腔，通過束流腔與所述工藝腔連接的分析磁場，以及與所述分析磁場連接的離子源；其中，

在所述工藝腔與所述分析磁場之間具有空置擋板，所述空置擋板用于在離子注入以外的時段，隔離所述工藝腔與所述分析磁場；

還包括：用于記錄第一電流密度的第一法拉第杯和用于記錄第二電流密度的第二法拉第杯；

所述第一法拉第杯位于所述空置擋板面向所述分析磁場的表面；

所述第二法拉第杯位于所述工藝腔面向所述分析磁場的表面；

還包括：預警設備，所述預警設備用于在第一電流密度與所述第二電流密度的差值大于設定值時報警提醒工程師進行開腔清潔。

2.如權利要求1所述的離子注入設備，其特征在于，所述空置擋板位于所述束流腔與所述分析磁場連接處的內壁和/或外壁。

3.如權利要求1所述的離子注入設備，其特征在于，所述空置擋板位于所述束流腔內的束流孔面向所述工藝腔的側壁和/或所述束流腔內的束流孔面向所述分析磁場的側壁。

4.如權利要求1所述的離子注入設備，其特征在于，所述空置擋板位于所述束流腔與所述工藝腔連接處的外壁和/或內壁。

5.如權利要求1-4任一項所述的離子注入設備，其特征在于，還包括：與所述工藝腔連接的第一分子泵，以及與所述第一分子泵連接的第一干泵。

6.如權利要求1-4任一項所述的離子注入設備，其特征在于，還包括：與所述傳送腔連接的第二分子泵，以及與所述第二分子泵連接的第二干泵。

7.一種使用如權利要求1-6任一項所述的離子注入設備進行離子注入的方法，其特征在于，包括：

在離子注入時段，控制所述空置擋板處于打開狀態，以導通所述工藝腔與所述分析磁場；

在離子注入以外的時段，控制所述空置擋板處于閉合狀態，以隔離所述工藝腔與所述分析磁場；

還包括：

在所述空置擋板隔離所述工藝腔和所述分析磁場時，記錄離子束打在第一法拉第杯上形成的第一電流密度；

在所述空置擋板導通所述工藝腔與所述分析磁場時，記錄離子束打在第二法拉第杯上形成的第二電流密度；

根據所述第一電流密度和所述第二電流密度的差值與預設值的關系，監測所述工藝腔內懸浮剝落物含量；在確定所述第一電流密度和所述第二電流密度的差值大于預設值時，確定所述工藝腔內懸浮剝落物含量超標，并進行預警。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述在離子注入以外的時段，控制所述空置擋板處于閉合狀態，以隔離所述工藝腔與所述分析磁場，具體包括：

在打開所述傳送腔與所述工藝腔之間的閥門進行進片之前，控制所述空置擋板處于閉合狀態，以隔離所述工藝腔與所述分析磁場。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，在控制所述空置擋板處于開啟狀態之前，還包括：

增大所述傳送腔與所述工藝腔之間的真空度差異。

10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，在進片結束關閉所述傳送腔與所述工藝腔之間的閥門之后，且控制所述空置擋板處于開啟狀態之前，還包括：

控制所述工藝腔的真空度不大于所述分析磁場的真空度。

11.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述在離子注入以外的時段，控制所述空置擋板處于閉合狀態，以隔離所述工藝腔與所述分析磁場，具體包括：

在打開所述工藝腔進行清潔之前，控制所述空置擋板處于閉合狀態，以隔離所述工藝腔與所述分析磁場。