[發明專利]用于阻斷溝槽部分的方法

有效

• 申請號: 201810154064.5
• 申請日: 2018-02-22
• 公開（公告）號: CN108470712B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 曾文德;毛明;P·德謝佩爾;M·柯西斯
• 申請（專利權）人: IMEC非營利協會
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 江磊;郭輝

一種用于在制造半導體結構期間阻斷一條或多條溝槽(700)的一個或多個部分的方法，所述方法包括：a.提供包括一條或多條溝槽(700)、以及介電材料(130)的基材(100)；b.提供第一覆蓋層(300)，由此填充一條或多條溝槽(700)；c.用凝結的可光致凝結金屬氧化物的區塊圖案(400)覆蓋基材(100)的第一區域，所述基材(100)的第一區域位于所述一個或多個部分的正上方且與之相對應，d.用第二覆蓋層(500)覆蓋區塊圖案和第二區域；e.在第二覆蓋層(500)上提供掩模層(600)，所述掩模層(600)具有通道圖案(800)；以及f.將通道圖案(800)和至少一條溝槽(700)的其他部分轉移至介電材料(130)中。

技術領域

本發明涉及半導體結構中的制造，具體涉及在所述制造期間阻斷一個或多個溝槽部分。

背景技術

在半導體裝置的制造中，特別是在先進節點上，需要多個光刻層堆疊體和多個光刻曝光和刻蝕序列用于在生產線后端(BEOL)中形成通道和連接線。

用于形成該連接線的典型序列描述于Kobayashi、Shinji等人的“SADP圖案化中分析阻斷放置誤差(Analyzing block placement errors in SADP patterning)”，國際光學工程會議記錄(Proc.Of SPIE)，第9779卷，2016。該序列通過形成間隔體限定的構成圖案開始，隨后提供光刻堆疊體，并進行第一光刻曝光和蝕刻序列，以在溝槽部分上形成阻斷。隨后，溝槽圖案更深地蝕刻到基材中，例如，蝕刻至基材中的硬掩模中，由此，區塊(block)限定了溝槽中的中斷。

一旦將所希望的中斷的溝槽圖案轉移到硬掩模中以形成通道，通常使用第二光刻堆疊體和第二光刻曝光和刻蝕序列來使得通道圖案化到硬掩模中。在通道和溝槽圖案都蝕刻到硬掩模下的介電質中的適當深度之后，可以用導電金屬填充相應的開口以形成通道和連接線。圖8中示出了該過程直到在電介質中的蝕刻的流程圖。

在本領域中還有空間使得BEOL方法更直接。

發明內容

本發明的一個目的是提供用于BEOL的良好的方法以及結構。

本發明的一些實施方式的一個優點在于需要較低數量的步驟。

上述目的是通過本發明所述的一種方法和裝置實現的。

第一方面中，本發明涉及一種用于在制造半導體結構期間阻斷一條或多條溝槽(700)的一個或多個部分的方法，所述方法包括：

a.提供包括一條或多條溝槽、以及在所述一條或多條溝槽下的介電材料的基材；

b.在基材上提供第一覆蓋層，由此填充一條或多條溝槽，第一覆蓋層具有平坦的頂部表面，第一覆蓋層的頂部部分包括相對于凝結的可光致凝結金屬氧化物可選擇性蝕刻的頂部表面；

c.用凝結的可光致凝結金屬氧化物的區塊圖案(block pattern)覆蓋頂部表面的第一區域，頂部表面的第一區域位于所述一個或多個部分的正上方且與之相對應，由此留下頂部表面的第二區域保持未被覆蓋，所述頂部表面的第二區域包括其下方的至少一條溝槽的至少另一部分；

d.用具有平坦頂部表面的第二覆蓋層覆蓋區塊圖案和第二區域，與區塊圖案和第二區域接觸的第二覆蓋層的底部部分相對于凝結的可光致凝結金屬氧化物以及相對于第一覆蓋層的頂部部分可選擇性蝕刻；

e.在第二覆蓋層上提供掩模層，所述掩模層具有通道圖案；以及

f.將通道圖案和至少一條溝槽的其他部分轉移至介電材料中。

第二方面中，本發明涉及一種半導體結構，其包括：

i.基材，其包括一條或多條溝槽、以及在一條或多條溝槽下的介電材料；