[發明專利]用于阻斷溝槽部分的方法

有效

• 申請號: 201810154064.5
• 申請日: 2018-02-22
• 公開（公告）號: CN108470712B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 曾文德;毛明;P·德謝佩爾;M·柯西斯
• 申請（專利權）人: IMEC非營利協會
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 江磊;郭輝

1.一種用于在制造半導體結構期間阻斷一條或多條溝槽的一個或多個部分的方法，所述方法包括：

提供包括一條或多條溝槽、以及在所述一條或多條溝槽下的介電材料的基材；

在所述基材上提供第一覆蓋層，由此填充所述一條或多條溝槽，所述第一覆蓋層具有平坦的頂部表面，所述第一覆蓋層的頂部部分——包括所述頂部表面——相對于凝結的可光致凝結金屬氧化物選擇性可蝕刻；

用所述凝結的可光致凝結金屬氧化物的區塊圖案覆蓋所述頂部表面的第一區域，該頂部表面的第一區域位于所述一個或多個部分的正上方且與之相對應，由此留下頂部表面的第二區域未被覆蓋，所述頂部表面的第二區域包括其下方的至少一條溝槽的至少另一部分；

用具有平坦頂部表面的第二覆蓋層覆蓋所述區塊圖案和第二區域，與該區塊圖案和第二區域接觸的第二覆蓋層的底部部分相對于凝結的可光致凝結金屬氧化物以及相對于第一覆蓋層的頂部部分選擇性可蝕刻；

在所述第二覆蓋層上提供掩模層，所述掩模層具有通道圖案；以及

將所述通道圖案和至少一條溝槽的其他部分轉移至所述介電材料中。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在用第二覆蓋層覆蓋所述區塊圖案和第二區域之后，第二覆蓋層直接與第一覆蓋層接觸。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，第一覆蓋層包括完全填充所述一條或多條溝槽的平面化層。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，第一覆蓋層包括完全填充所述一條或多條溝槽的平面化層以及在其上的硬掩模層。

5.如權利要求4中所述的方法，其特征在于，所述硬掩模層是旋涂玻璃、SiO₂、SiOC、或Si₃N₄層。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二覆蓋層上提供掩模層之后，第二覆蓋層直接與掩模層、區塊圖案、以及頂部表面的第二區域接觸。

7.如前權利要求1所述的方法，其特征在于，第二覆蓋層包括旋涂玻璃層和/或旋涂碳層。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，第二覆蓋層由單一材料組成。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，掩模層由硬掩模層上的圖案化光刻膠層組成，或者包括圖案化的凝結的可光致凝結的金屬氧化物層。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，覆蓋所述頂部表面的第一區域包括：

提供一層可光致凝結金屬氧化物；

將所述的一層可光致凝結金屬氧化物的一個區域曝露于光源，以使得所述層的所述區域凝結為凝結的可光致凝結金屬氧化物的區塊圖案；以及

去除任意未凝結的可光致凝結金屬氧化物。

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，一條或多條溝槽包括凝結的可光致凝結金屬氧化物側壁。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于，所述一條或多條溝槽包括由介電材料制成的底部。

13.如權利要求1所述的方法，其特征在于，一種或多種的可光致凝結金屬氧化物包括有機錫化合物。