[發明專利]壓電傳感器制造方法及利用其的壓電傳感器有效
| 申請號: | 201810153213.6 | 申請日: | 2018-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN108447884B | 公開(公告)日: | 2022-04-15 |
| 發明(設計)人: | 房昌爀 | 申請(專利權)人: | (株)凱希思 |
| 主分類號: | H01L27/20 | 分類號: | H01L27/20;H01L41/047;H01L41/29;H01L41/312 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓電 傳感器 制造 方法 利用 | ||
本發明的壓電傳感器制造方法包括如下步驟:刻蝕底板而形成包含多個凹槽的傳感器陣列模式形式的模具;將壓電材料注入至所述多個凹槽中的里側凹槽,并將導電材料注入外側凹槽;對所述注入的壓電材料及導電材料進行燒結;刻蝕所述底板,以使所述壓電材料及導電材料突出,而形成壓電桿及導電桿;將絕緣材料填充至所述底板而形成絕緣層;將所述絕緣層平坦化,直至所述壓電桿及導電桿露出;在所述壓電材料及導電材料的第一面形成第一電極;在形成有所述第一電極的底板上粘結工藝基板;將所述底板平坦化,直至所述壓電桿及導電桿露出;及在所述壓電桿及導電桿的第二面形成第二電極。
技術領域
本發明涉及壓電傳感器制造方法及利用其的壓電傳感器,具體涉及一種壓電傳感器制造方法及利用其制造的壓電傳感器,將下部電極與上部電極按相同的方向露出而易于施加電極。
背景技術
用戶認證稱之為在進行所有金融交易時必需的順序,尤其,最近,因網絡及便攜用終端設備的發展,對移動金融的關注增高,隨之快速準確的用戶認證裝置、認證方式的需求響應增加。
另外,用戶的指紋為滿足上述需求的認證媒介中一個,大量經營者及開發人員連續研發運用用戶的指紋而進行認證的裝置及方式。
近來,與指紋識別裝置相關,擺脫通過現有光學方式而認證了指紋的圖像的方式,廣泛進行產生超聲波而掌握指紋的形式的所謂超聲波方式的研究。
尤其,超聲波壓電傳感器與現有的光學方式或靜電容量方式相比,更強化安全性,因而,近來進行大量研究。
對于超聲波壓電傳感器,在壓電材料被施加電壓時,壓電材料發生振動,發生超聲波并感應指紋。
對于現有的壓電傳感器,在施加電源所需的兩個電極中的一個形成于壓電傳感器的上部,另一個形成于壓電元件的下部。即,壓電元件包括上部電極與下部電極。當前按如此方式兩個電極形成于相互不同的方向,由此,在施加電壓方面存在了很多困難。
現有技術文獻
【專利文獻】
(專利文獻1)韓國公開專利10-2016-00831(2016.07.12.公開)
發明的內容
發明要解決的技術問題
本發明的目的在于提供一種將上部電極與下部電極配置在同一平面的壓電傳感器制造方法及利用其的壓電傳感器。
用于解決問題的技術方案
本發明的實施例的壓電傳感器制造方法包括如下步驟:刻蝕底板而形成包含多個凹槽的傳感器陣列模式形式的模具;將壓電材料注入至所述多個凹槽中里側凹槽,將導電材料注入外側凹槽;對所述注入的壓電材料及導電材料進行燒結;刻蝕所述基板,以使所述壓電材料及導電材料突出,從而,形成壓電桿及導電桿;在所述基板填充絕緣材料而形成絕緣層;對所述絕緣層進行平坦化處理,直至所述壓電桿及導電桿露出時為止;在所述壓電材料及導電材料的第一面形成第一電極;在形成有所述第一電極的底板上粘結工藝基板;對所述底板進行平坦化處理,直至所述壓電桿及導電桿露出時為止;及將第二電極形成于所述壓電桿及導電桿的第二面。
并且,本發明的實施例的壓電傳感器制造方法,對于刻蝕底板而形成包含多個凹槽的傳感器陣列模式形式的模具的步驟,還在所述底板的規定區域形成用于形成極化電極。
而且,在本發明的實施例的壓電傳感器制造方法中,將壓電材料注入所述多個凹槽中里側凹槽,將導電材料注入外側凹槽的步驟包括將極化用導電材料注入至用于形成所述極化電極的凹槽的步驟。
并且,在本發明的實施例的壓電傳感器制造方法中,形成所述第一電極的步驟包括如下步驟:在所述壓電桿及導電桿沉積金屬層;在所述金屬層涂覆光敏抗蝕劑;隨著掩模圖案曝光而去除所述光敏抗蝕劑的一部分區域;刻蝕去除所述光敏抗蝕劑的部分的金屬層;及去除在刻蝕所述金屬層之后余留的光敏抗蝕劑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





