[發(fā)明專利]壓電傳感器制造方法及利用其的壓電傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810153213.6 | 申請日: | 2018-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN108447884B | 公開(公告)日: | 2022-04-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 房昌爀 | 申請(專利權)人: | (株)凱希思 |
| 主分類號: | H01L27/20 | 分類號: | H01L27/20;H01L41/047;H01L41/29;H01L41/312 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓電 傳感器 制造 方法 利用 | ||
1.一種壓電傳感器制造方法,其特征在于,
包括如下步驟:
刻蝕底板而形成包含多個凹槽的傳感器陣列模式形式的模具;
將壓電材料注入至所述多個凹槽中的里側凹槽,并將導電材料注入外側凹槽;
對所述注入的壓電材料及導電材料進行燒結;
刻蝕所述底板,以使所述壓電材料及導電材料突出,而形成壓電桿及導電桿;
將絕緣材料填充至所述底板而形成絕緣層;
將所述絕緣層平坦化,直至所述壓電桿及導電桿露出;
在所述壓電材料及導電材料的第一面形成第一電極;
在形成有所述第一電極的底板上粘結工藝基板;
將所述底板平坦化,直至所述壓電桿及導電桿露出;及
在所述壓電桿及導電桿的第二面形成第二電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的壓電傳感器制造方法,其特征在于,
刻蝕底板而形成包含多個凹槽的傳感器陣列模式形式的模具的步驟,在所述底板的規(guī)定區(qū)域還形成用于形成極化電極的凹槽。
3.根據(jù)權利要求2所述的壓電傳感器制造方法,其特征在于,
將壓電材料注入所述多個凹槽中的里側凹槽,并將導電材料注入外側凹槽的步驟包括將極化用導電材料注入用于形成所述極化電極的凹槽的步驟。
4.根據(jù)權利要求1所述的壓電傳感器制造方法,其特征在于,
形成所述第一電極的步驟包括如下步驟:
在所述壓電桿及導電桿沉積金屬層;
將光敏抗蝕劑涂覆在所述金屬層;
隨著掩模圖案曝光而去除所述光敏抗蝕劑的一部分區(qū)域;
對去除了所述光敏抗蝕劑的部分的金屬層進行刻蝕;及
去除在所述金屬層刻蝕余留的光敏抗蝕劑。
5.根據(jù)權利要求3所述的壓電傳感器制造方法,其特征在于,
形成所述第一電極的步驟包括將金屬層沉積在所述極化用導電材料而形成第一極化電極,并將所述第一極化電極與所述第一電極連接為一體。
6.根據(jù)權利要求2所述的壓電傳感器制造方法,其特征在于,
形成所述第二電極的步驟包括在所述絕緣層的第二面的規(guī)定區(qū)域形成第二極化電極的步驟。
7.根據(jù)權利要求6所述的壓電傳感器制造方法,其特征在于,
所述第二電極與所述第二極化電極連接為一體。
8.根據(jù)權利要求1所述的壓電傳感器制造方法,其特征在于,
所述第二電極以形成于所述壓電桿的金屬層與形成于所述導電桿的金屬層分離的方式形成。
9.根據(jù)權利要求6所述的壓電傳感器制造方法,其特征在于,
還包括如下步驟:
向所述第一電極與第二電極施加極化電壓而激活壓電材料的極化步驟。
10.根據(jù)權利要求1所述的壓電傳感器制造方法,其特征在于,
所述第二電極以與所述第一電極垂直方向交叉方式形成。
11.根據(jù)權利要求1所述的壓電傳感器制造方法,其特征在于,
形成所述第二電極的步驟包括如下步驟:
在所述壓電桿及導電桿沉積金屬層;
在所述金屬層涂覆光敏抗蝕劑;
隨著掩模圖案曝光而去除所述光敏抗蝕劑的一部分區(qū)域;
對去除所述光敏抗蝕劑的部分金屬層進行刻蝕;及
去除在所述金屬層刻蝕之后余留的光敏抗蝕劑。
12.根據(jù)權利要求1所述的壓電傳感器制造方法,其特征在于,
形成所述凹槽的步驟包括如下步驟:
通過光刻技術工藝在底板的第一面形成傳感器陣列形式的圖案;
去除在底板形成的光敏抗蝕劑并沉積絕緣膜;及
對去除了所述光敏抗蝕劑的區(qū)域進行刻蝕而在所述底板按規(guī)定間距形成凹槽。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





