[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810151887.2 | 申請日: | 2014-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN108198847B | 公開(公告)日: | 2022-10-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 曹成豪;金炫榮;趙一龍 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 發(fā)光 顯示裝置 | ||
提供了一種有機發(fā)光顯示裝置。所述有機發(fā)光顯示裝置包括:下基板,包括顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域;第一絕緣層,位于下基板的顯示區(qū)域和外圍區(qū)域上,其中,多個貫穿孔形成在外圍區(qū)域中的第一絕緣層中;上基板,位于下基板上;以及密封劑,位于所述多個貫穿孔中并將下基板結(jié)合到上基板。
本申請是申請日為2014年6月30日、申請?zhí)枮?01410305831.X、發(fā)明名稱為“有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的一個或更多個實施例涉及一種有機發(fā)光顯示裝置及一種制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)
通常,通過在下基板上形成有機發(fā)光二極管(OLED)并將下基板和上基板結(jié)合使得OLED位于下基板和上基板之間來制造有機發(fā)光顯示裝置。有機發(fā)光顯示裝置可以在小設(shè)備(諸如蜂窩電話)和大設(shè)備(諸如電視機)中用作顯示單元。
在有機發(fā)光顯示裝置中,使用密封劑將上基板和下基板結(jié)合。設(shè)置密封劑的區(qū)域被認為是死空間(dead space),其是非顯示區(qū)域。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個或多個實施例包括一種可以減少震動損壞的有機發(fā)光顯示裝置以及一種制造該有機發(fā)光顯示裝置的方法。
另外的方面將部分地在隨后的描述中闡述,并且部分地通過所述描述而是顯而易見的,或者可以通過實施提供的實施例而獲知。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例,一種有機發(fā)光顯示裝置包括:下基板,包括顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域;第一絕緣層,位于下基板的顯示區(qū)域和外圍區(qū)域上,其中,多個貫穿孔形成在外圍區(qū)域中的第一絕緣層中;上基板,位于下基板上;以及密封劑,位于貫穿孔中并將下基板結(jié)合到上基板。
所述有機發(fā)光顯示裝置還可以包括位于上基板和第一絕緣層之間的第二絕緣層。
所述有機發(fā)光顯示裝置還可以包括位于下基板和第一絕緣層之間的導電層,其中,所述多個貫穿開口形成在導電層中。
第一絕緣層可以包括與導電層中的所述多個貫穿開口相對應(yīng)的多個貫穿孔組,所述多個貫穿孔組中的每個貫穿孔組可以包括兩個或更多個貫穿孔。
第一絕緣層中的每個貫穿孔組的區(qū)域可以比導電層中的每個貫穿開口的區(qū)域窄。
導電層中的每個貫穿開口的內(nèi)表面可以被第一絕緣層覆蓋,并且可以不接觸密封劑。
每個貫穿孔組中的兩個或更多個貫穿孔之間的距離為可以2.5μm或更大。
導電層中的每個貫穿開口的內(nèi)表面可以被第一絕緣層覆蓋,并且可以不接觸密封劑。
導電層中的所述多個貫穿開口之間的距離可以為20.5μm或更大。
顯示區(qū)域可以包括具有柵電極的薄膜晶體管,導電層可以包括與薄膜晶體管中的柵電極的材料相同的材料。
導電層和柵電極可以設(shè)置在同一層上。
在與下基板平行的表面中,第一絕緣層中的所述多個貫穿孔的總面積可以在密封劑的面積的9.8%到16.5%的范圍內(nèi)。
顯示區(qū)域可以包括緩沖層、柵極絕緣膜、層間絕緣膜和保護膜,第一絕緣層可以是緩沖層、柵極絕緣膜、層間絕緣膜和保護膜中的至少一者的延伸部分。
所述有機發(fā)光顯示裝置還可以包括置于下基板和第一絕緣層之間或者位于第一絕緣層中的導電層,其中,導電層位于外圍區(qū)域中、具有多個貫穿開口并且具有使導電層的寬度變化的寬度改變部。
第一絕緣層可以具有第一部分和第二部分,第一部分通過導電層的所述多個貫穿開口接觸導電層下方的層,第二部分在導電層的寬度改變部的區(qū)域中且在導電層的外部接觸導電層下方的層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





