[發明專利]有機發光顯示裝置有效
| 申請號: | 201810151887.2 | 申請日: | 2014-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN108198847B | 公開(公告)日: | 2022-10-04 |
| 發明(設計)人: | 曹成豪;金炫榮;趙一龍 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,其特征在于,所述有機發光顯示裝置包括:
下基板;
導電層,位于所述下基板上且具有多個貫穿開口;
絕緣層,位于所述導電層上,所述絕緣層在所述多個貫穿開口中的一個貫穿開口中具有多個貫穿孔,使得所述多個貫穿孔暴露所述下基板;
密封劑,設置在所述多個貫穿孔上;以及
上基板,設置在所述密封劑上,
其中,所述導電層在朝向顯示區域的方向上延伸越過所述密封劑的邊緣。
2.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述導電層中的所述多個貫穿開口中的每個貫穿開口的內表面被所述絕緣層覆蓋,并且不接觸所述密封劑。
3.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述絕緣層中的所述多個貫穿孔中的貫穿孔之間的距離為2.5μm或更大。
4.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述有機發光顯示裝置還包括具有柵電極的薄膜晶體管,其中,所述導電層包括與所述薄膜晶體管的所述柵電極的材料相同的材料。
5.如權利要求4所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述導電層和所述柵電極設置在同一層上。
6.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述有機發光顯示裝置還包括位于所述上基板下面的有機發射層。
7.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述有機發光顯示裝置還包括位于所述下基板和所述絕緣層之間的附加絕緣層。
8.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述絕緣層中具有所述多個貫穿孔的一個貫穿孔組的面積比所述導電層中的所述多個貫穿開口之中的相應貫穿開口的面積小。
9.一種有機發光顯示裝置,其特征在于,所述有機發光顯示裝置包括:
下基板,包括顯示區域和圍繞所述顯示區域的外圍區域;
絕緣層,位于所述下基板的所述顯示區域和所述外圍區域上,所述絕緣層在所述外圍區域中具有多個貫穿孔;
導電層,位于所述絕緣層中,所述導電層具有多個貫穿開口;
上基板,位于所述下基板上;以及
密封劑,位于所述多個貫穿孔中并將所述下基板結合到所述上基板,
其中,所述絕緣層包括與所述導電層中的所述多個貫穿開口相對應的多個貫穿孔組,所述多個貫穿孔組中的每個貫穿孔組在所述多個貫穿開口中的相應貫穿開口內包括所述多個貫穿孔中的兩個或更多個貫穿孔,并且
其中,所述導電層在朝向所述顯示區域的方向上延伸越過所述密封劑的邊緣。
10.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述導電層中的所述多個貫穿開口中的每個貫穿開口的內表面被所述絕緣層覆蓋,并且不接觸所述密封劑。
11.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述絕緣層中的所述多個貫穿孔中的貫穿孔之間的距離為2.5μm或更大。
12.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述有機發光顯示裝置還包括具有柵電極的薄膜晶體管,其中,所述導電層包括與所述薄膜晶體管的所述柵電極的材料相同的材料。
13.如權利要求12所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述導電層和所述柵電極設置在同一層上。
14.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述有機發光顯示裝置還包括位于所述上基板下面的有機發射層。
15.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述有機發光顯示裝置還包括位于所述下基板和所述絕緣層之間的附加絕緣層。
16.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置,其特征在于,所述絕緣層中的所述多個貫穿孔組之中的一個貫穿孔組的面積比所述導電層中的所述多個貫穿開口之中的相應貫穿開口的面積小。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





