[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810151286.1
• 申請日: 2018-02-14
• 公開（公告）號: CN110164978B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬瑞吉;邢溯;溫晉煬
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

埋入式絕緣層；

半導(dǎo)體層，設(shè)置于該埋入式絕緣層的一側(cè)；

柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該半導(dǎo)體層上，其中該半導(dǎo)體層包括體區(qū)，設(shè)置于該柵極結(jié)構(gòu)與該埋入式絕緣層之間；

源極摻雜區(qū)以及漏極摻雜區(qū)，該源極摻雜區(qū)以及該漏極摻雜區(qū)分別設(shè)置于位于該柵極結(jié)構(gòu)的相對兩側(cè)的該半導(dǎo)體層中；

第一接觸結(jié)構(gòu)，貫穿該埋入式絕緣層并接觸該體區(qū)的一部分與該源極摻雜區(qū)的一部分，其中該第一接觸結(jié)構(gòu)于該埋入式絕緣層的厚度方向上與該體區(qū)的該部分以及該源極摻雜區(qū)的該部分重疊，該第一接觸結(jié)構(gòu)的第一表面直接接觸該體區(qū)的第二表面與該源極摻雜區(qū)的第三表面，且該源極摻雜區(qū)的該第三表面在該埋入式絕緣層的該厚度方向上位于該第一接觸結(jié)構(gòu)的該第一表面與該柵極結(jié)構(gòu)之間；以及

第二接觸結(jié)構(gòu)，貫穿該埋入式絕緣層并與該源極摻雜區(qū)電連接，其中該體區(qū)通過該第一接觸結(jié)構(gòu)與該第二接觸結(jié)構(gòu)而與該源極摻雜區(qū)電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該體區(qū)的一部分于該埋入式絕緣層的該厚度方向上設(shè)置于該第一接觸結(jié)構(gòu)與該柵極結(jié)構(gòu)之間。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

第一連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該源極摻雜區(qū)上且與該源極摻雜區(qū)電連接；以及

隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該埋入式絕緣層上且圍繞該半導(dǎo)體層，其中該第二接觸結(jié)構(gòu)還貫穿該隔離結(jié)構(gòu)并與該第一連接結(jié)構(gòu)連接，且該第二接觸結(jié)構(gòu)通過該第一連接結(jié)構(gòu)而與該源極摻雜區(qū)電連接。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

第二連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該漏極摻雜區(qū)上且與該漏極摻雜區(qū)電連接；以及

第三接觸結(jié)構(gòu)，貫穿該埋入式絕緣層以及該隔離結(jié)構(gòu)，用以與該第二連接結(jié)構(gòu)連接，其中該第三接觸結(jié)構(gòu)通過該第二連接結(jié)構(gòu)而與該漏極摻雜區(qū)電連接。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該埋入式絕緣層于該厚度方向上具有相對的第一側(cè)與第二側(cè)，該半導(dǎo)體層與該柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于該埋入式絕緣層的該第一側(cè)，且該半導(dǎo)體裝置還包括：

導(dǎo)電層，設(shè)置于該埋入式絕緣層的該第二側(cè)且與該第一接觸結(jié)構(gòu)以及該第二接觸結(jié)構(gòu)連接，其中該體區(qū)通過該第一接觸結(jié)構(gòu)、該導(dǎo)電層以及該第二接觸結(jié)構(gòu)而與該源極摻雜區(qū)電連接。

6.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

埋入式絕緣層，該埋入式絕緣層于該埋入式絕緣層的厚度方向上具有相對的第一側(cè)與第二側(cè)；

半導(dǎo)體層，設(shè)置于該埋入式絕緣層的一側(cè)；

柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該半導(dǎo)體層上，其中該半導(dǎo)體層與該柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于該埋入式絕緣層的該第一側(cè)，該半導(dǎo)體層包括體區(qū)，設(shè)置于該柵極結(jié)構(gòu)與該埋入式絕緣層之間；

源極摻雜區(qū)以及漏極摻雜區(qū)，該源極摻雜區(qū)以及該漏極摻雜區(qū)分別設(shè)置于位于該柵極結(jié)構(gòu)的相對兩側(cè)的該半導(dǎo)體層中；

接觸開孔，貫穿該埋入式絕緣層并暴露出該體區(qū)的一部分以及該源極摻雜區(qū)的一部分；

硅化物層，設(shè)置于該接觸開孔中且設(shè)置于被該接觸開孔暴露出的該體區(qū)的該部分以及該源極摻雜區(qū)的該部分上，其中該體區(qū)通過該硅化物層與該源極摻雜區(qū)電連接；

第一接觸結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該硅化物層上；

第二接觸結(jié)構(gòu)，貫穿該埋入式絕緣層并與該漏極摻雜區(qū)電連接；以及

絕緣層，設(shè)置于該埋入式絕緣層的該第二側(cè)且部分設(shè)置于該接觸開孔中，其中該第一接觸結(jié)構(gòu)貫穿該絕緣層，用以接觸該硅化物層，且該第二接觸結(jié)構(gòu)更貫穿該絕緣層。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第一接觸結(jié)構(gòu)至少部分設(shè)置于該接觸開孔中。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該漏極摻雜區(qū)上且與該漏極摻雜區(qū)電連接；以及

隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該埋入式絕緣層上且圍繞該半導(dǎo)體層，其中該第二接觸結(jié)構(gòu)還貫穿該隔離結(jié)構(gòu)并與該連接結(jié)構(gòu)連接，且該第二接觸結(jié)構(gòu)通過該連接結(jié)構(gòu)而與該漏極摻雜區(qū)電連接。