[發明專利]多帶電粒子束描繪裝置及其調整方法

有效

• 申請號: 201810151182.0
• 申請日: 2018-02-14
• 公開（公告）號: CN108508707B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 藤崎英太;清水幸毅
• 申請（專利權）人: 紐富來科技股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙

本發明的一個方式涉及的多帶電粒子束描繪裝置具備：射出部，射出帶電粒子束；成形孔徑陣列，形成有多個開口部，帶電粒子束穿過多個開口部，由此形成多束；消隱孔徑陣列，配置有多個消隱器，該消隱器進行多束中的各自相對應的射束的消隱偏轉；限制孔徑部件，屏蔽被多個消隱器偏轉成射束截止狀態的各射束；載物臺，對多束照射的基板進行載置；校正部，配置在射出部和成形孔徑陣列之間，具有孔徑、設置于該孔徑并檢測帶電粒子的檢測器以及調整帶電粒子束向該孔徑的入射角的校正線圈；特征量計算部，根據基于檢測器的檢測值的校正掃描圖像，計算表示帶電粒子束向孔徑的入射角的垂直程度的特征量；以及線圈控制部，基于特征量，控制校正線圈的勵磁值。

技術領域

本發明涉及一種多帶電粒子束描繪裝置及其調整方法。

背景技術

伴隨著LSI的高集成化，半導體設備的電路線寬逐年微細化。為了對半導體設備形成期望的電路圖案，采取了使用縮小投影型曝光裝置將形成在石英上的高精度的原圖圖案(也稱為掩模，或者在步進式光刻機(Stepper)或步進掃描式光刻機(scanner)中特別使用的也稱為倍縮掩模(reticule))縮小轉印到晶圓上的方法。高精度的原圖圖案是由電子束描繪裝置描繪的，使用所謂的電子束光刻法技術。

例如，有使用多束的描繪裝置。通過使用多束，與用一個電子束進行描繪的情況相比，能一次(1次曝光(shot))照射許多束，因此，能夠大幅度提高生產能力。在多束方式的描繪裝置中，例如，將從電子槍射出的電子束穿過具有多個孔的成形孔徑陣列而形成多束，并用消隱孔徑陣列進行各射束的消隱控制，未被屏蔽的射束被光學系統縮小，并照射到載置于可移動載物臺上的基板上。

在電子槍和成形孔徑陣列之間具有校正線圈和孔徑，并設置有對電子束的光軸進行調整的校正機構。通過校正線圈而對光軸進行調整，穿過了孔徑的電子束對成形孔徑陣列進行照明。在成形孔徑陣列上按規定的排列間距而矩陣狀地形成有多個孔，電子束穿過這些多個孔，由此形成多束。被照射到基板上的射束陣列(多束)理想上按照成形孔徑陣列的多個孔的排列間距乘以期望的縮小率后所得到的間距進行排列。

在校正機構中的電子束的光軸調整中，特別重要的是調整入射角以使得電子束垂直地入射孔徑。若入射角的調整不充分，則照射到基板上的射束陣列中就會產生欠缺，對射束形狀的測量和評價產生影響，妨礙描繪精度的提高。

發明內容

本發明提供一種能夠在多束光學系統設定時精度良好地調整光軸的多帶電粒子束描繪裝置及其調整方法。

本發明的一個方式涉及的多帶電粒子束描繪裝置具備：射出部，射出帶電粒子束；成形孔徑陣列，形成有多個開口部，所述帶電粒子束穿過所述多個開口部，由此形成多束；消隱孔徑陣列，配置有多個消隱器(blanker)，該消隱器進行所述多束中的各自相對應的射束的消隱偏轉；限制孔徑部件，屏蔽被所述多個消隱器偏轉成射束截止(off)狀態的各射束；載物臺，對所述多束所照射的基板進行載置；校正部，配置在所述射出部和所述成形孔徑陣列之間，具有孔徑、設置于該孔徑且檢測帶電粒子的檢測器、以及調整所述帶電粒子束向該孔徑的入射角的校正線圈；特征量計算部，根據基于所述檢測器的檢測值的校正掃描圖像，計算表示所述帶電粒子束向所述孔徑的入射角的垂直程度的特征量；以及線圈控制部，基于所述特征量，控制所述校正線圈的勵磁值。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式涉及的多帶電粒子束描繪裝置的概略圖。

圖2是成形孔徑陣列的概略圖。

圖3(a)～圖3(c)是示出校正掃描圖像的例子的圖。

圖4是示出各線圈值下的校正掃描圖像的例子的圖。

圖5是用等高線表示特征量(亮度的均勻度)的變化的圖。

圖6是示出各線圈值下的校正掃描圖像的面積的模式圖。

具體實施方式