[發(fā)明專利]多帶電粒子束描繪裝置及其調(diào)整方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810151182.0
• 申請日: 2018-02-14
• 公開（公告）號(hào): CN108508707B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藤崎英太;清水幸毅
• 申請（專利權(quán)）人: 紐富來科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙

1.一種多帶電粒子束描繪裝置，其特征在于，具備：

射出部，射出帶電粒子束；

成形孔徑陣列，形成有多個(gè)開口部，所述帶電粒子束穿過所述多個(gè)開口部，由此形成多束；

消隱孔徑陣列，配置有多個(gè)消隱器，該消隱器進(jìn)行所述多束中的各自相對應(yīng)的射束的消隱偏轉(zhuǎn)；

載物臺(tái)，對所述多束所照射的基板進(jìn)行載置；

校正部，配置在所述射出部和所述成形孔徑陣列之間，具有孔徑、設(shè)置于該孔徑并檢測帶電粒子的檢測器、以及調(diào)整所述帶電粒子束向該孔徑的入射角的校正線圈；

特征量計(jì)算部，根據(jù)基于所述檢測器的檢測值的校正掃描圖像，計(jì)算表示所述帶電粒子束向所述孔徑的入射角的垂直程度的特征量；以及

線圈控制部，基于所述特征量，控制所述校正線圈的勵(lì)磁值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多帶電粒子束描繪裝置，其特征在于，所述特征量計(jì)算部計(jì)算表示所述校正掃描圖像的亮度的均勻度的值，作為所述特征量。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多帶電粒子束描繪裝置，其特征在于，

所述特征量計(jì)算部計(jì)算所述校正掃描圖像的亮度的重心和該校正掃描圖像的中心之間的位置偏移量，作為所述特征量，

所述線圈控制部控制所述校正線圈的勵(lì)磁值，使得所述位置偏移量變小。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多帶電粒子束描繪裝置，其特征在于，

所述特征量計(jì)算部計(jì)算所述校正掃描圖像的面積作為所述特征量，

所述線圈控制部控制所述校正線圈的勵(lì)磁值，使得所述面積變大。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多帶電粒子束描繪裝置，其特征在于，

所述特征量計(jì)算部計(jì)算所述校正掃描圖像中的具有一定以上的濃度的區(qū)域的亮度的合計(jì)值，作為所述特征量，

所述線圈控制部控制所述校正線圈的勵(lì)磁值，使得所述合計(jì)值變大。

6.一種多帶電粒子束描繪裝置的調(diào)整方法，其特征在于，包括：

射出帶電粒子束的工序；

所述帶電粒子束穿過孔徑的工序；

穿過了所述孔徑的所述帶電粒子束穿過成形孔徑陣列的多個(gè)開口部而形成多束的工序；

向載置于載物臺(tái)上的基板照射所述多束的工序；

根據(jù)由設(shè)置于所述孔徑的檢測器檢測出的帶電粒子，制成校正掃描圖像的工序；

根據(jù)所述校正掃描圖像，計(jì)算表示所述帶電粒子束向所述孔徑的入射角的垂直程度的特征量的工序；以及

基于所述特征量調(diào)整所述帶電粒子束向所述孔徑的入射角的工序。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多帶電粒子束描繪裝置的調(diào)整方法，其特征在于，計(jì)算表示所述校正掃描圖像的亮度的均勻度的值作為所述特征量。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多帶電粒子束描繪裝置的調(diào)整方法，其特征在于，

計(jì)算所述校正掃描圖像的亮度的重心和該校正掃描圖像的中心之間的位置偏移量，作為所述特征量，

控制校正線圈的勵(lì)磁值，使得所述位置偏移量變小。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多帶電粒子束描繪裝置的調(diào)整方法，其特征在于，

計(jì)算所述校正掃描圖像的面積作為所述特征量，

控制校正線圈的勵(lì)磁值，使得所述面積變大。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多帶電粒子束描繪裝置的調(diào)整方法，其特征在于，

計(jì)算所述校正掃描圖像中的具有一定以上的濃度的區(qū)域的亮度的合計(jì)值，作為所述特征量，

控制校正線圈的勵(lì)磁值，使得所述合計(jì)值變大。