[發明專利]半導體封裝及其制造方法

在審

• 申請號: 201810150621.6
• 申請日: 2018-02-13
• 公開（公告）號: CN108428676A
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 于達人;許文松
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京市萬慧達律師事務所 11111
• 代理人: 白華勝;王蕊

1.一種半導體封裝，其特征在于，包括：

重分布層結構，具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；

半導體晶粒，布置在所述重分布層結構的第一表面上并電耦合到所述重分布層結構；

模塑料，覆蓋所述半導體晶粒和所述重分布層結構的第一表面；以及

支撐件，位于所述半導體晶粒旁邊并且與重分布層結構的第一表面接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述支撐件與所述半導體晶粒和所述重分布層結構電絕緣。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述支撐件沿著所述半導體晶粒的至少一側延伸。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述支撐件圍繞所述半導體晶粒。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述模塑料位于覆蓋所述支撐件的位置。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述模塑料的高度大于所述支撐件的高度。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，還包括：

膏狀物，位于所述重分布層結構的第一表面上以及，并位于所述半導體晶粒與所述支撐件之間。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝，其特征在于，所述膏狀物圍繞所述半導體晶粒，并且所述支撐件圍繞所述膏狀物。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述重分布層結構包括：

疊加于金屬介電層的鈍化層，所述第一表面為所述金屬介電層的第一表面，所述第二表面為所述鈍化層的第二表面，所述金屬介電層的第二表面與所述鈍化層的第一表面接觸；

導電結構，設置在所述金屬介電層中并電連接到所述半導體晶粒的晶粒焊盤；

RDL接觸焊盤，設置在所述鈍化層的開口中并電連接所述導電結構。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝，其特征在于，所述支撐件由半導體材料、金屬材料或半導體材料與金屬材料的組合形成。

11.一種半導體封裝，其特征在于，包括：

重分布層結構，具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；

半導體晶粒，布置在所述重分布層結構的第一表面上并電耦合到所述重分布層結構；

模塑料，覆蓋所述半導體晶粒和所述重分布層結構的第一表面；以及

支撐件，沿半導體晶粒的邊界延伸，其中所述支撐件與所述半導體晶粒和所述重分布層結構電絕緣。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝，其特征在于，所述支撐件為環形、井字形、條形、L形或凹形。

13.根據權利要求11所述的半導體封裝，其特征在于，所述支撐件的剛度大于所述模塑料的剛度。

14.一種半導體封裝的制造方法，其特征在于，包括：

將半導體晶粒安裝在基板上；

將支撐件安裝在基板上，并且支撐件位于所述半導體晶粒旁邊；

將模塑料施加到所述基板，其中所述模塑料覆蓋所述半導體晶粒和所述支撐件；

在所述模塑料上形成重分布層結構并且耦合到所述半導體晶粒；以及

在所述重分布層結構上形成導電結構。