[發明專利]真空處理裝置和維護裝置

有效

• 申請號: 201810150376.9
• 申請日: 2018-02-13
• 公開（公告）號: CN108447760B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 上田雄大;廣瀨潤
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發明提供一種真空處理裝置和維護裝置。抑制進行基板的輸送的輸送系統的污染地更換消耗零件。維護裝置(100)相對于等離子體蝕刻裝置(10)的第2閘門(95)保持氣密性、同時安裝于等離子體蝕刻裝置(10)的第2閘門(95)，該等離子體蝕刻裝置(10)在處理容器(30)設有與用于晶圓(W)的輸入輸出的第1閘門(84)不同的第2閘門(95)。維護裝置(100)經由第2閘門(95)進行處理容器(30)內的消耗零件的拆卸、消耗零件向處理容器(30)內的安裝、處理容器(30)內的清掃中的至少一者。

技術領域

本發明的各種方面和實施方式涉及真空處理裝置和維護裝置。

背景技術

以往以來，公知有將半導體晶圓(以下稱為“晶圓”。)等基板配置于設為真空的處理容器而實施對基板進行加工的各種處理的真空處理裝置。例如，作為真空處理裝置，公知有在設為真空的處理容器內配置晶圓、使用等離子體對晶圓進行蝕刻的蝕刻處理的等離子體蝕刻裝置。

這樣的真空處理裝置存在如下情況：由于在基板的加工中所實施的處理而消耗的消耗零件存在于處理容器內，消耗零件的更換成為必要。例如，在等離子體蝕刻裝置中，設于晶圓的外周的聚焦環由于蝕刻處理而消耗。在等離子體蝕刻裝置中，由于聚焦環的消耗而對蝕刻速度等存在影響。因此，在等離子體蝕刻裝置中，若消耗量較多，則需要更換聚焦環。

這樣的消耗零件的更換是將處理容器大氣開放來進行。不過，在真空處理裝置中，在使處理容器暫且大氣開放了的情況下，由于處理容器內的溫度調整、水分控制，直到使基板處理再次開始為止需要相當長的時間，生產率降低。

因此，提出了如下技術：在真空狀態下直接借助向真空處理裝置輸送基板的輸送系統來更換消耗零件，不使處理容器向大氣開放，就更換消耗零件(參照例如下述專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2006-196691號公報

發明內容

發明要解決的問題

然而，在借助輸送基板的輸送系統來更換消耗零件的情況下，存在污染輸送系統的情況。例如若將聚焦環與1張晶圓相比，則從新品到被更換為止的期間內，進行相當次數的蝕刻處理，相應地也附著有蝕刻中的所謂沉積物。在借助輸送晶圓的輸送臂等的輸送系統來更換了這樣的聚焦環的情況下，成為微粒在輸送系統產生的主要原因。若在輸送系統產生微粒，則為了清潔，需要使輸送系統停止來進行維護。

用于解決問題的方案

在1個實施形態中，所公開的真空處理裝置具有消耗零件和處理容器。消耗零件由于在基板的加工中所實施的處理而消耗。處理容器在內部配置有消耗零件，設有：第1閘門，其用于基板的輸入輸出；第2閘門，用于更換消耗零件的維護裝置能夠相對于該第2閘門拆裝。

另外，在1個實施形態中，所公開的維護裝置具有殼體和維護機構。殼體形成有與真空處理裝置的第2閘門相對應的尺寸的開口部，該真空處理裝置在處理容器設有用于基板的輸入輸出的第1閘門和與第1閘門不同的第2閘門，該殼體相對于第2閘門保持氣密性、同時開口部能夠安裝于該第2閘門。維護機構收容于殼體內部，經由開口部進行處理容器內的消耗零件的拆卸、消耗零件向處理容器內的安裝、處理容器內的清掃中的至少1者。

發明的效果

根據所公開的基板處理裝置的1個形態，能夠起到抑制進行基板的輸送的輸送系統的污染地更換消耗零件這樣的效果。

附圖說明

圖1是實施方式的基板處理系統的概略結構圖。