[發明專利]存儲器中的第一讀取對策

有效

• 申請號: 201810149225.1
• 申請日: 2018-02-13
• 公開（公告）號: CN108538330B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: D.杜塔;I.阿爾羅德;曾懷遠;A.德賽;萬鈞;謝錦昌;S.普特恩塞馬達姆
• 申請（專利權）人: 桑迪士克科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14;G11C16/26;G11C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

提供了一種用于改善存儲器單元的讀取操作的精度的技術，其中存儲器單元的閾值電壓可以根據字線的向上耦合狀態而移位。在一種方法中，為了讀取操作，檢測區塊中的代表性字線電壓，并且選擇對應的讀取電壓集。在另一種方法中，恰在讀取所選單元之前，響應于讀取命令，將預讀取電壓脈沖施加到所選字線。在另一種方法中，將電壓脈沖周期性地施加到區塊中的每個字線，以提供處于向上耦合狀態的字線。在另一種方法中，在讀取操作之后執行軟擦除，以防止字線的向上耦合。

技術領域

本技術涉及存儲器裝置的操作。

背景技術

半導體存儲器裝置在各種電子裝置中的使用已經變得越來越流行。例如，非易失性半導體存儲器用于蜂巢電話、數碼相機、個人數字助理、移動計算裝置、非移動計算裝置以及其他裝置中。

電荷存儲材料(諸如浮置柵極)或電荷捕獲材料可以用于這樣的存儲器裝置中，以存儲表示數據狀態的電荷。電荷捕獲材料可以垂直地布置在三維(3D)堆疊存儲器結構中，或水平地布置在二維(2D)存儲器結構中。3D存儲器結構的一個示例是位成本可規模化(BiCS)架構，其包括交替的導電和電介質層的堆疊體。

存儲器裝置包含存儲器單元，存儲器單元可以布置為串，例如，其中在串的端部處提供選擇柵極晶體管，以選擇性地將串的溝道連接到源極線或位線。然而，操作這樣的存儲器裝置存在各種挑戰。

發明內容

在一種實施方式中，一種設備包括：存儲器單元的區塊，所述存儲器單元連接到字線集；電壓檢測器，其連接到字線集中的一個或多個字線，所述電壓檢測器配置為執行一個或多個字線的電壓的評估；以及控制電路，所述控制電路與所述電壓檢測器通信，所述控制電路配置為基于所述評估來確定用于讀取區塊中的所選存儲器單元的讀取電壓集。

一種方法包含：響應于涉及區塊的所選存儲器單元的讀取命令，在讀取所選存儲器單元之前，確定是否滿足將預讀取電壓脈沖施加到所選存儲器單元的條件；如果滿足所述條件，在讀取所選存儲器單元之前，將預讀取電壓脈沖施加到所選存儲器單元；并且如果不滿足所述條件，在不將預讀取電壓脈沖施加到所選存儲器單元的情況下讀取所選存儲器單元。

另一相關設備包含用于執行上面的步驟中的每一個的構件。上述構件可以例如包含圖1A和圖2的存儲器裝置100的部件。電力控制模塊116，例如，控制在存儲器操作期間施加到字線、選擇柵極線和位線的電力和電壓。此外，上述構件可以包含圖24A和圖24B的部件，包含電壓驅動器、開關和通過晶體管。構件還可以包含圖1A和圖2中的控制電路中的任一個，諸如控制電路110和控制器122。

在另一實施方式中，設備包括：計時構件，用于周期性地確定刷新存儲器單元集的閾值電壓的時間，所述存儲器單元集包括存儲器單元的一個或多個區塊；以及用于響應于計時構件而將電壓脈沖施加到連接到所述一個或多個區塊中的每個區塊的存儲器單元的字線集的構件。

在另一實施方式中，設備包括：存儲器單元的區塊；以及控制電路，其配置為響應于涉及區塊的所選存儲器單元的讀取或編程命令，感測所選存儲器單元，之后執行存儲器單元的區塊的軟擦除。

附圖說明

圖1A是示例性存儲器裝置的框圖。

圖1B繪示了示例性存儲器單元200。

圖1C繪示了本文中所公開的各種特征。

圖1D繪示了圖1A的溫度感測電路115的示例。

圖2是示例性存儲器裝置100的框圖，繪示了控制器122的附加細節。

圖3是包括圖1的存儲器結構126的示例性3D配置中的區塊集的存儲器裝置600的立體圖。

圖4繪示了圖3的區塊中的一個的一部分的示例性截面圖。

圖5繪示了圖4的堆疊體中的存儲器孔/柱直徑的曲線圖。