[發明專利]存儲器中的第一讀取對策

有效

• 申請號: 201810149225.1
• 申請日: 2018-02-13
• 公開（公告）號: CN108538330B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: D.杜塔;I.阿爾羅德;曾懷遠;A.德賽;萬鈞;謝錦昌;S.普特恩塞馬達姆
• 申請（專利權）人: 桑迪士克科技有限責任公司
• 主分類號: G11C16/14
• 分類號: G11C16/14;G11C16/26;G11C16/34
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種設備，包括：

存儲器單元的區塊；以及

控制電路，其配置為，響應于涉及所述區塊的所選存儲器單元的讀取或編程命令，感測所述所選存儲器單元，之后執行所述存儲器單元的區塊的軟擦除，其中：

所述所選存儲器單元布置在具有未選擇的存儲器單元的存儲器串中；

每個存儲器串包括溝道；

為感測所述所選存儲器單元，所述控制電路配置為，在將通過電壓施加到所述區塊的未選擇的存儲器單元時，將感測電壓施加到所述所選存儲器單元；

在感測所述所選存儲器單元之后，所述控制電路配置為，以比所述通過電壓更低的電平驅動所述未選擇的存儲器單元的電壓，導致所述溝道的向下耦合；并且

所述控制電路配置為在所述溝道向下耦合時執行所述軟擦除。

2.根據權利要求1所述的設備，其中：

所述控制電路配置為在以所述更低的電平驅動所述未選擇的存儲器單元時執行所述軟擦除，并且配置為在開始所述軟擦除之后將所述未選擇的存儲器單元的電壓浮置指定的時間。

3.根據權利要求1所述的設備，其中：

所述存儲器單元連接到字線集且布置在存儲器串中；

每個存儲器串包括溝道、源極端以及所述源極端處的選擇柵極晶體管；

所述源極端與基板的p阱接觸；并且

為執行所述軟擦除，所述控制電路配置為偏置所述p阱和所述存儲器串的源極端處的選擇柵極晶體管，以將空穴從所述p阱傳遞到所述溝道中。

4.根據權利要求1所述的設備，其中：

所述存儲器單元連接到字線集且布置在存儲器串中；

每個存儲器串包括溝道、源極端和選擇柵極晶體管；并且

為執行所述軟擦除，所述控制電路配置為偏置所述存儲器串的選擇柵極晶體管，以通過柵極誘導漏極泄露來在所述溝道中產生空穴。

5.根據權利要求4所述的設備，其中：

為執行所述軟擦除，所述控制電路配置為用負電壓來偏置所述選擇柵極晶體管的控制柵極。

6.根據權利要求4所述的設備，其中：

為執行所述軟擦除，所述控制電路配置為將所述選擇柵極晶體管的控制柵極的電壓向下耦合到負電壓。