[發(fā)明專利]粘合帶粘貼方法和粘合帶粘貼裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810148738.0
• 申請日: 2018-02-13
• 公開（公告）號: CN108470692B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 長谷幸敏;森伸一郎
• 申請（專利權(quán)）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種粘合帶粘貼方法，在該粘合帶粘貼方法中，將第2粘合帶粘貼于在一個(gè)面粘貼有第1粘合帶的半導(dǎo)體晶圓的另一個(gè)面，其特征在于，該粘合帶粘貼方法具備如下過程：

帶保持過程，在該帶保持過程中，利用保持臺保持所述第2粘合帶；

腔室形成過程，在該腔室形成過程中，通過利用一對外殼夾持所述第1粘合帶的超出所述半導(dǎo)體晶圓的外緣的部分并進(jìn)行接合，從而形成腔室；

第1接近過程，在該第1接近過程中，使所述保持臺與所述半導(dǎo)體晶圓接近，使所述半導(dǎo)體晶圓與所述第2粘合帶的粘合面之間的距離維持在預(yù)先設(shè)定好的第1預(yù)定值；

粘貼過程，在該粘貼過程中，在利用一對外殼夾持著所述第1粘合帶的狀態(tài)下，一邊使所述腔室內(nèi)的所述半導(dǎo)體晶圓側(cè)的空間的氣壓比另一側(cè)的空間的氣壓低，一邊將所述第2粘合帶粘貼于半導(dǎo)體晶圓，

所述第1預(yù)定值被設(shè)定為，能夠避免由所述粘貼過程中的氣壓的降低導(dǎo)致的所述半導(dǎo)體晶圓與所述第1粘合帶之間的氣泡膨脹而使所述半導(dǎo)體晶圓損傷的情況。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合帶粘貼方法，其特征在于，

所述半導(dǎo)體晶圓借助所述第1粘合帶與環(huán)框粘接保持，

在所述腔室形成過程中，一邊利用框架保持部保持所述環(huán)框，一邊利用一對外殼夾持所述第1粘合帶的位于所述環(huán)框與所述半導(dǎo)體晶圓之間的部分而形成腔室。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合帶粘貼方法，其特征在于，

該粘合帶粘貼方法具備第2接近過程，在該第2接近過程中，使具有扁平面的抑制構(gòu)件與所述第1粘合帶的非粘合面接近或接觸，使所述扁平面與所述第1粘合帶之間的距離維持在預(yù)先設(shè)定好的第2預(yù)定值。

4.一種粘合帶粘貼方法，在該粘合帶粘貼方法中，將第2粘合帶粘貼于在一個(gè)面粘貼有第1粘合帶的半導(dǎo)體晶圓的另一個(gè)面，其特征在于，該粘合帶粘貼方法具備如下過程：

晶圓保持過程，在該晶圓保持過程中，利用保持臺保持所述半導(dǎo)體晶圓；

第1粘貼過程，在該第1粘貼過程中，將所述第2粘合帶粘貼于構(gòu)成腔室的一對外殼的一者的接合部；

第1接近過程，在該第1接近過程中，使所述保持臺與所述第2粘合帶接近，使所述半導(dǎo)體晶圓與所述第2粘合帶的粘合面之間的距離維持在預(yù)先設(shè)定好的第1預(yù)定值；

第2接近過程，在該第2接近過程中，使具有扁平面的抑制構(gòu)件與所述第2粘合帶的非粘合面接近或接觸，使所述扁平面與所述第2粘合帶之間的距離維持在預(yù)先設(shè)定好的第2預(yù)定值；

第2粘貼過程，在該第2粘貼過程中，在通過利用一對外殼夾持所述第2粘合帶并進(jìn)行接合而形成了所述腔室的狀態(tài)下，一邊使所述腔室內(nèi)的所述半導(dǎo)體晶圓側(cè)的空間的氣壓比另一側(cè)的空間的氣壓低，一邊將所述第2粘合帶粘貼于半導(dǎo)體晶圓，

所述第1預(yù)定值被設(shè)定為，能夠避免由所述第2粘貼過程中的氣壓的降低導(dǎo)致的所述半導(dǎo)體晶圓與所述第1粘合帶之間的氣泡膨脹而使所述半導(dǎo)體晶圓損傷的情況，

所述第2預(yù)定值被設(shè)定為，能夠避免由所述第2粘貼過程中的氣壓的降低導(dǎo)致的所述半導(dǎo)體晶圓與所述第1粘合帶之間的氣泡在與所述半導(dǎo)體晶圓的面垂直的方向上膨脹的情況。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的粘合帶粘貼方法，其特征在于，

該粘合帶粘貼方法具備利用框架保持部保持環(huán)框的框架保持過程，

在所述第1粘貼過程中，跨構(gòu)成腔室的一對外殼的一者的接合部與通過所述框架保持過程保持著的所述環(huán)框地粘貼所述第2粘合帶。