[發(fā)明專利]一種硅電容的制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810148687.1
• 申請(qǐng)日: 2018-02-12
• 公開（公告）號(hào): CN108335988A
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳曉鶇;季駿;張可可;王濤;陳正才;高向東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫中微晶園電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/62
• 分類號(hào): H01L21/62;H01L49/02
• 代理公司: 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種硅電容的制作方法，其特征在于，所述硅電容的制作方法包括：

S110、提供硅片作為硅片襯底以及提供LPCVD設(shè)備；

S120、在所述硅片襯底上制備多個(gè)深度為80μm、寬度為2μm的溝槽；

S130、在形成有溝槽的硅片襯底上摻磷雜質(zhì)做飽和摻雜，以形成電容的下電極；

S140、將摻雜磷雜質(zhì)的硅片襯底放入所述LPCVD設(shè)備中，采用HTO工藝淀積一層SiO₂層；

S150、采用LPCVD工藝在SiO₂層上淀積一層Si₃N₄層；

S160、重復(fù)步驟S140，采用HTO工藝在所述Si₃N₄層上淀積一層SiO₂層，得到第一層ONO膜層；

S170、采用LPCVD工藝在所述第一層ONO膜層上淀積一層原位磷摻雜多晶硅一；

S180、重復(fù)步驟S140、步驟S150、步驟S160和步驟S170，采用相同的工藝參數(shù)，依次淀積一層SiO₂層、一層Si₃N₄層和原位磷摻雜多晶硅二，形成雙ONO型電容并聯(lián)結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅電容的制作方法，其特征在于，所述硅電容的制作方法還包括在步驟S180之后進(jìn)行的：

采用圖形轉(zhuǎn)移的方式通過多晶光刻和腐蝕后形成電容的上下電極；

采用磁控濺射淀積Al-Si-Cu金屬層，實(shí)現(xiàn)多個(gè)溝槽結(jié)構(gòu)中ONO型硅電容的并聯(lián)；

通過對(duì)通孔光刻、腐蝕和鈍化淀積，對(duì)鈍化孔光刻、腐蝕和合金的工序獲得多個(gè)并聯(lián)的電容器件。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅電容的制作方法，其特征在于，所述采用圖形轉(zhuǎn)移的方式通過多晶光刻和腐蝕后形成電容的上下電極包括：

將所述原位磷摻雜多晶硅一和所述原位磷摻雜多晶硅二進(jìn)行光刻和腐蝕，形成電容的上電極和下電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅電容的制作方法，其特征在于，所述采用磁控濺射淀積Al-Si-Cu金屬層，實(shí)現(xiàn)多個(gè)溝槽結(jié)構(gòu)中ONO型硅電容的并聯(lián)包括：

采用磁控濺射淀積第一層Al-Si-Cu金屬層；

在所述第一層Al-Si-Cu金屬層上淀積一層介質(zhì)層；

在所述介質(zhì)層上淀積第二層Al-Si-Cu金屬層；

所述第一層Al-Si-Cu金屬層將硅片襯底與所述原位磷摻雜多晶硅二連接；

所述第二層Al-Si-Cu金屬層將所述原位磷摻雜多晶硅一相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的硅電容的制作方法，其特征在于，在所述LPCVD設(shè)備中采用HTO工藝淀積一層SiO₂層時(shí)，所述LPCVD設(shè)備中通入反應(yīng)氣體二氯二氫硅和一氧化二氮?dú)猓榷涔韬?一氧化二氮?dú)獾臍怏w流量比為1:4~5。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅電容的制作方法，其特征在于，所述LPCVD設(shè)備中的工藝壓力為250±50mTor，工藝溫度為830±30℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的硅電容的制作方法，其特征在于，所述采用LPCVD工藝在SiO₂層上淀積一層Si₃N₄層時(shí)，在所述LPCVD設(shè)備中通入反應(yīng)氣體二氯二氫硅和氨氣，氣體二氯二氫硅和氨氣的氣體流量比為1:6~7。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅電容的制作方法，其特征在于，所述LPCVD設(shè)備中的工藝壓力為400±40mTor，工藝溫度為730±30℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的硅電容的制作方法，其特征在于，所述在所述第一層ONO膜層上淀積一層原位磷摻雜多晶硅一時(shí)，所述LPCVD設(shè)備中通入反應(yīng)氣體硅烷和磷烷，所述磷烷和硅烷的氣體流量比為1:7~8。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的硅電容的制作方法，其特征在于，所述LPCVD設(shè)備中的工藝壓力為500±50mTor，工藝溫度為530±30℃。