[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810148466.4
• 申請日: 2018-02-13
• 公開（公告）號: CN108461487A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳南誠;周哲雅;劉興治;郭哲宏
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L25/18;H01L23/31;H01L23/538
• 代理公司: 北京市萬慧達(dá)律師事務(wù)所 11111
• 代理人: 白華勝;王蕊

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：基底，本體結(jié)構(gòu)和電子元件；

所述本體結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述基底上方，所述本體結(jié)構(gòu)包括：

具有主表面的半導(dǎo)體管芯；

模塑料，用于封裝所述半導(dǎo)體管芯，且所述模塑料具有下表面，與所述下表面相對的上表面以及從所述下表面延伸到所述上表面的通孔；

形成在所述通孔內(nèi)的導(dǎo)電元件；

下層重分布層，形成在所述模塑料的下表面，所述半導(dǎo)體管芯的主表面和從所述下表面暴露出的所述導(dǎo)電元件之上；

所述電子元件，設(shè)置在所述模塑料的上表面的上方，并且通過所述導(dǎo)電元件電性連接到所述下層重分布層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述主體結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括：

上層重分布層，形成在所述上表面和所述模塑料之上，并且電性連接到所述導(dǎo)電元件；

其中，在所述電子元件和所述半導(dǎo)體管芯的堆疊方向上，所述電子元件與所述半導(dǎo)體管芯至少部分重疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述上層重分布層包括：

具有上表面的上層鈍化層；以及

從所述上層鈍化層的所述上表面突出的導(dǎo)電接墊；

其中，所述電子元件具有導(dǎo)電觸頭，并且所述電子元件通過所述導(dǎo)電觸頭被設(shè)置在所述導(dǎo)電接墊上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在所述電子元件和所述半導(dǎo)體管芯的堆疊方向上，所述電子元件與所述半導(dǎo)體管芯部分重疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述電子元件是高帶寬存儲器HBM，或者，所述半導(dǎo)體管芯是系統(tǒng)上芯片SoC，或者，所述半導(dǎo)體管芯由硅晶片形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述下層重分布層延伸超過所述半導(dǎo)體管芯的側(cè)面以形成扇出結(jié)構(gòu)。

7.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：模塑基底和電子元件；

所述模塑基底包括：

第一模塑料，所述第一模塑料具有上表面，下表面和從所述上表面延伸到所述下表面的第一通孔；

第一上層重分布層，形成在所述第一模塑料的所述上表面之上；

下層重分布層，形成在所述第一模塑料的所述下表面之上；

第一導(dǎo)電元件，形成在所述第一通孔中，并且連接所述下層重分布層到所述第一上層重分布層；

所述電子元件設(shè)置在所述第一上層重分布層之上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括：

第二模塑料，形成在所述第一上層重分布層之上并且封裝所述電子元件。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一上層重分布層包括：

上層鈍化層，所述上層鈍化層具有上表面；以及

導(dǎo)電接墊，所述導(dǎo)電接墊從所述上層鈍化層的上表面突出；

其中，所述電子元件具有導(dǎo)電觸頭，并且所述電子元件通過所述導(dǎo)電觸頭被設(shè)置在所述導(dǎo)電接墊上。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括：

半導(dǎo)體管芯，嵌入在所述模塑基底的所述第一模塑料中，并且所述半導(dǎo)體管芯由硅晶片形成。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括：

半導(dǎo)體管芯，嵌入在所述模塑基底的所述第一模塑料中，所述半導(dǎo)體管芯包括：

具有上表面的硅基底；以及

第二上層重分布層，形成在所述硅基底的所述上表面之上，并且電性連接到所述第一上層重分布層。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述電子元件是高帶寬存儲器HBM，或者，所述半導(dǎo)體管芯是系統(tǒng)上芯片SoC。