[發明專利]具有穿通模具過孔的多封裝集成電路組件

在審

• 申請號: 201810147171.5
• 申請日: 2018-02-12
• 公開（公告）號: CN108630674A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: H·IL·金
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L25/10
• 分類號: H01L25/10;H01L25/18;H01L23/538;H01L21/98
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

1.一種多封裝集成電路組件，包括：

第一電子封裝，其包括具有第一管芯側和第一接口側的第一封裝基底，第一管芯電耦合至所述第一封裝基底的所述第一管芯側；

第二電子封裝，其包括具有第二管芯側和第二接口側的第二封裝基底，第二管芯電耦合至所述第二封裝基底的所述第二管芯側；

金屬鍍敷孔，其將所述第一封裝基底和所述第二封裝基底電耦合，其中，所述金屬鍍敷孔被定位為從所述第一封裝基底的接口側到所述第二封裝基底的接口側；以及

公共基底，其附接至所述第一電子封裝，其中，所述公共基底位于所述第一電子封裝的與所述第一封裝基底相對的面上，并且所述公共基底通過所述第一封裝基底電耦合至所述第一管芯和所述第二管芯。

2.根據權利要求1所述的集成電路組件，其中，所述第一管芯和所述第二管芯的至少其中之一是具有附接到一起的多個管芯的疊置管芯封裝。

3.根據權利要求1所述的集成電路組件，其中，所述第二電子封裝的多個管芯通過所述第一封裝基底電耦合至所述公共基底。

4.根據權利要求1所述的集成電路組件，還包括位于所述第一接口側和所述第二接口側之間的絕緣蓋層，其中，所述金屬鍍敷孔延伸穿過所述絕緣蓋層。

5.根據權利要求1所述的集成電路組件，其中，所述金屬鍍敷孔位于所述第一管芯的周界內。

6.根據權利要求1所述的集成電路組件，還包括被定位為從所述第一基底的接口側到所述第二基底的接口側的多個金屬鍍敷孔，其中，所述多個金屬鍍敷孔位于所述第一管芯的周界內。

7.根據權利要求1所述的集成電路組件，其中，所述金屬鍍敷孔位于所述第一管芯和所述第二管芯之間。

8.根據權利要求1所述的集成電路組件，其中，所述金屬鍍敷孔位于所述第二管芯的周界內。

9.根據權利要求1所述的集成電路組件，其中，所述金屬鍍敷孔沿所述金屬鍍敷孔的縱軸包括10μm、500μm或者它們之間的任何尺寸的尺寸。

10.一種將多封裝集成電路組件的第一電子封裝電耦合至第二電子封裝的方法，所述方法包括：

將公共基底的第一表面附接至第一電子封裝，所述第一電子封裝包括具有第一管芯側和第一接口側的第一封裝基底，第一管芯位于所述第一表面和所述第一管芯側之間，其中，第一管芯電耦合至所述第一管芯側，并且所述第一接口側包括電耦合至所述第一管芯的第一接觸部；

將所述第一封裝基底電耦合至所述公共基底；

將絕緣蓋層施加在所述第一電子封裝和所述公共基底的所述第一表面上，其中，所述絕緣蓋層的面和所述公共基底位于所述第一電子封裝的相對兩側上；

在所述面中形成孔洞，所述孔洞包括位于所述面上的第一開口和位于所述第一接口側上的第二開口，其中，所述第一接觸部位于所述第二開口內；

在所述孔洞中形成金屬鍍敷孔，所述金屬鍍敷孔電耦合至所述第一接觸部；

將所述金屬鍍敷孔電耦合至第二電子封裝，所述第二電子封裝包括第二封裝基底和第二管芯，所述第二封裝基底包括第二管芯側和第二接口側，第二接觸部位于所述第二接口側上并且電耦合至所述第二管芯，其中，所述金屬鍍敷孔電耦合至所述第二接觸部。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，將所述公共基底的所述第一表面附接至所述第一電子封裝包括將所述公共基底附接至所述第一電子封裝的與所述第一封裝基底相對的面。

12.根據權利要求10所述的方法，還包括形成位于多個孔洞中的多個金屬鍍敷孔，所述多個金屬鍍敷孔被定位為從所述第一接口側到所述第二接口側，其中，所述多個金屬鍍敷孔位于所述第一管芯的周界內。