[發明專利]基板處理裝置及基板處理方法

有效

• 申請號: 201810143665.6
• 申請日: 2018-02-11
• 公開（公告）號: CN108630567B
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發明（設計）人: 荒木知康
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

本發明涉及一種基板處理裝置及基板處理方法。基板處理裝置包括：壓力控制單元，通過根據壓力傳感器的檢測值使作為壓力控制閥的一例的釋放閥變更個別配管內的處理液的壓力，而使連接位置上的處理液的壓力維持在壓力設定值；以及控制裝置，通過于未處理的基板在基板處理裝置內的處理期間的至少一部分內，將壓力設定值設定為處理用設定值，于未處理的基板沒有在基板處理裝置內的待機期間的至少一部分內，將壓力設定值設定為小于處理用設定值的待機用設定值，而使待機期間內在循環配管內流動的處理液的流量與處理期間內在循環配管內流動的處理液的流量相一致或相近。

技術領域

本發明涉及一種對基板進行處理的基板處理裝置及基板處理方法。在作為處理對象的基板中，例如，包含半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子體顯示器用基板、場發射顯示器(Field Emission Display，FED)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、磁光盤用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。

背景技術

在半導體裝置或液晶顯示裝置等的制造工序中，會使用對半導體晶片或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板進行處理的基板處理裝置。在日本特開2015-141980號公報中，揭示了一種對基板一片片地進行處理的單片式基板處理裝置。

日本特開2015-141980號公報中所述的基板處理裝置包括貯存要被供給至基板的處理液的處理液槽(tank)、使處理液槽內的處理液循環的循環路徑、將處理液槽內的處理液輸送至循環路徑的循環泵、以及對在循環路徑內流動的處理液進行加熱的加熱器。所述基板處理裝置進而包括對從循環路徑向多個處理單元的處理液的供給進行控制的多個噴出閥、以及在多個處理單元的下游配置在循環路徑上的釋放閥(relief valve)。

在日本特開2015-141980號公報中，是將作為壓力控制閥之一的釋放閥在多個處理單元的下游配置在循環路徑上。當釋放閥的設定釋放壓力不變時，在所有噴出閥被關閉的待機期間內在循環路徑內流動的處理液的流量少于任一噴出閥被打開的基板的處理期間內的流量。

在循環路徑內流動的處理液的溫度會受到循環路徑的周圍的溫度的影響而發生變動。影響的程度取決于在循環路徑內流動的處理液的流量。即，當處理液的流量多時，處理液幾乎不受其周圍的溫度的影響，而當處理液的流量少時，處理液則會受到周圍的溫度的影響，溫度產生大幅變動。因此，當如日本特開2015-141980號公報，循環液的流量根據噴出閥的開閉狀態而發生大幅變動時，存在循環液的溫度也會據此產生大幅變動的問題。

并且，在循環路徑內流動的處理液的溫度也取決于待機期間的長度。從基板的處理期間轉移至待機期間后不久，處理液的溫度幾乎不變。然而，隨著待機期間變長，處理液的溫度會與基板處理期間內的處理液的溫度逐漸背離。因此，如果在長時間的待機期間之后執行對基板的處理液的供給，則會將與預期的溫度大不相同的溫度的處理液供給至基板。

當如上所述，將與所預期的溫度不同的溫度的處理液供給至基板時，會對蝕刻量或圖案倒塌率等基板處理的質量造成不良影響。并且，還存在如下問題：當對在相同的處理條件下應處理的多塊基板供給溫度不同的處理液時，在多塊基板間會產生質量偏差。

發明內容

本發明的一個目的在于提供一種即使噴出閥的開閉狀態發生變化，在循環路徑內流動的處理液的溫度也不會大幅變動，從而可以向基板供給穩定的溫度的處理液的基板處理裝置及基板處理方法。

本發明的另一目的在于提供一種能夠降低被供給至多塊基板的處理液的溫度的偏差，從而可以降低多塊基板間的質量的偏差的基板處理裝置及基板處理方法。