[發(fā)明專利]基板處理裝置及基板處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810143665.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108630567B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-12-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 荒木知康 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫(kù)林集團(tuán) |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬爽;臧建明 |
| 地址: | 日本京都府京都市上京區(qū)堀*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,包括:
槽,貯存處理液;
基板保持機(jī)構(gòu),水平地保持基板;
噴嘴,朝向保持于所述基板保持機(jī)構(gòu)上的所述基板噴出從所述槽供給的處理液;
循環(huán)配管,使所述槽內(nèi)的處理液循環(huán);
送液裝置,將所述槽內(nèi)的處理液輸送至所述循環(huán)配管;
溫度調(diào)節(jié)器,通過(guò)加熱及冷卻中的至少一者來(lái)變更由所述送液裝置輸送至所述循環(huán)配管的所述處理液的溫度;
供給配管,從所述循環(huán)配管將處理液引導(dǎo)至所述噴嘴;
噴出閥,插裝于所述供給配管,在噴出執(zhí)行狀態(tài)與噴出停止?fàn)顟B(tài)之間進(jìn)行切換,所述噴出執(zhí)行狀態(tài)是執(zhí)行從所述供給配管向所述噴嘴供給處理液的狀態(tài),所述噴出停止?fàn)顟B(tài)是停止從所述供給配管向所述噴嘴供給處理液的狀態(tài);
壓力控制單元,包括檢測(cè)所述循環(huán)配管及所述供給配管相互連接著的連接位置上的處理液的壓力的壓力傳感器、及在所述連接位置的下游的插裝位置上插裝于所述循環(huán)配管上的壓力控制閥,通過(guò)根據(jù)所述壓力傳感器的檢測(cè)值使所述壓力控制閥變更所述循環(huán)配管內(nèi)的處理液的壓力,而使所述連接位置上的處理液的壓力維持在壓力設(shè)定值;以及
控制裝置,通過(guò)于未處理的基板在所述基板處理裝置內(nèi)的處理期間的至少一部分內(nèi),將所述壓力設(shè)定值設(shè)定為處理用設(shè)定值,于所述未處理的基板沒(méi)有在所述基板處理裝置內(nèi)的待機(jī)期間的至少一部分內(nèi),將所述壓力設(shè)定值設(shè)定為小于所述處理用設(shè)定值的待機(jī)用設(shè)定值,而使所述待機(jī)期間內(nèi)在所述循環(huán)配管內(nèi)流動(dòng)的處理液的流量與所述處理期間內(nèi)在所述循環(huán)配管內(nèi)流動(dòng)的處理液的流量相一致或相近。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,進(jìn)而包括:
第二噴嘴,噴出從所述槽供給的處理液;
第二供給配管,在所述連接位置與所述插裝位置之間的第二連接位置上與所述循環(huán)配管連接,從所述循環(huán)配管將處理液引導(dǎo)至所述第二噴嘴;以及
第二噴出閥,插裝于所述第二供給配管,在噴出執(zhí)行狀態(tài)與噴出停止?fàn)顟B(tài)之間進(jìn)行切換,所述噴出執(zhí)行狀態(tài)是執(zhí)行從所述第二供給配管向所述第二噴嘴供給處理液的狀態(tài),所述噴出停止?fàn)顟B(tài)是停止從所述第二供給配管向所述第二噴嘴供給處理液的狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述基板保持機(jī)構(gòu)設(shè)置有多個(gè),
所述噴嘴是以與多個(gè)所述基板保持機(jī)構(gòu)一一對(duì)應(yīng)的方式而設(shè)置有多個(gè),
所述循環(huán)配管包括引導(dǎo)通過(guò)所述送液裝置而從所述槽輸送的處理液的上游配管、以及從所述上游配管分支的多個(gè)個(gè)別配管,
所述供給配管是以與多個(gè)所述個(gè)別配管一一對(duì)應(yīng)的方式而設(shè)置有多個(gè),并從所述個(gè)別配管延伸至所述噴嘴,
所述噴出閥是以與多個(gè)所述供給配管一一對(duì)應(yīng)的方式而設(shè)置有多個(gè),
所述壓力傳感器是以與多個(gè)所述供給配管一一對(duì)應(yīng)的方式而設(shè)置有多個(gè),
所述壓力控制閥是以與多個(gè)所述供給配管一一對(duì)應(yīng)的方式而設(shè)置有多個(gè),并且在所述個(gè)別配管及供給配管相互連接著的所述連接位置的下游的所述插裝位置上插裝于所述個(gè)別配管,
所述控制裝置通過(guò)在所述處理期間的至少一部分內(nèi),將多個(gè)所述個(gè)別配管中的至少一者的所述壓力設(shè)定值設(shè)定為所述處理用設(shè)定值,在所述待機(jī)期間的至少一部分內(nèi),將多個(gè)所述個(gè)別配管中的至少一者的所述壓力設(shè)定值設(shè)定為所述待機(jī)用設(shè)定值,而使所述待機(jī)期間內(nèi)在所述個(gè)別配管內(nèi)流動(dòng)的處理液的流量與所述處理期間內(nèi)在所述個(gè)別配管內(nèi)流動(dòng)的處理液的流量相一致或相近。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于:
所述基板處理裝置進(jìn)而包括裝載埠,所述裝載埠包括放置收容有所述未處理的基板的載體的載體載置臺(tái)、以及檢測(cè)所述載體載置臺(tái)上是否有所述載體的載體檢測(cè)傳感器,
所述控制裝置在收容有所述未處理的基板的所述載體被載置在所述載體載置臺(tái)上時(shí),使所述壓力設(shè)定值從所述待機(jī)用設(shè)定值變更為所述處理用設(shè)定值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于:如果在所述基板處理裝置內(nèi)所存在的所有基板的處理完成后預(yù)定的待機(jī)時(shí)間經(jīng)過(guò)之前,沒(méi)有將另外的所述未處理的基板搬入至所述基板處理裝置,則所述控制裝置將所述壓力設(shè)定值從所述處理用設(shè)定值變更為所述待機(jī)用設(shè)定值。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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