[發明專利]一種硒鍺鎵鋇多晶的合成方法和硒鍺鎵鋇單晶的生長方法有效
| 申請號： | 201810141666.7 | 申請日： | 2018-02-11 |
| 公開（公告）號： | CN110144624B | 公開（公告）日： | 2020-09-08 |
| 發明（設計）人： | 姚吉勇;郭揚武;李壯;羅曉宇 | 申請（專利權）人： | 中國科學院理化技術研究所 |
| 主分類號： | G02F1/355 | 分類號： | G02F1/355;C30B29/46;C30B28/02;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京方安思達知識產權代理有限公司 11472 | 代理人： | 陳琳琳;張紅生 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硒鍺鎵鋇 多晶 合成 方法 硒鍺鎵鋇單晶 生長 | ||
【權利要求書】：
1.一種硒鍺鎵鋇多晶的合成方法，所述合成方法包括以下步驟：
1）用王水浸泡石英管和盛料用的PBN小舟，然后清洗，烘干；按照摩爾比Ba:Ga:Ge:Se＝1:2:1:6稱量單質原料Ba、Ga、Ge和Se，單質Se另外過量0.5-1.5%；
2）將單質原料Ba、Ga、Ge以1:2:1的摩爾比混合放置于PBN小舟中，把小舟放置到石英管的封閉端，把單質Se放置在石英管的另一端；將石英管抽真空10-4Pa～10-6Pa，再用氫氧火焰熔封，然后放入水平雙溫區管式電阻爐中，電阻爐依次分為高溫區、梯度區和低溫區，PBN小舟位于高溫區，Se位于低溫區，小舟與Se之間為梯度區；
3）首先使高溫區的溫度升至t1＝1000～1050℃，同時使低溫區溫度升至t2＝700～800℃，保溫70～100h，此為第一階段；然后維持高溫區溫度不變，將低溫區的溫度升高至t2’＝t1+(10～20)℃，保溫10～30h，此為第二階段；最后整個電阻爐的溫度以10～20℃/h速度降至室溫，得到硒鍺鎵鋇多晶；
步驟3）第一階段中，高溫區的升溫速度為60～80℃/h，低溫區的升溫速度為50～70℃/h。
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