[發明專利]圖像傳感裝置的形成方法

在審

• 申請號: 201810141602.7
• 申請日: 2018-02-11
• 公開（公告）號: CN109841639A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 鄭允瑋;周俊豪;李國政;黃薰瑩
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張福根;馮志云

提供圖像傳感裝置的形成方法。方法包括提供基板。基板具有正面與背面，且基板具有光接收區與裝置區。方法包括分別形成第一晶體管與第一源極/漏極結構于光接收區與裝置區中。第一晶體管包括第一柵極結構、光傳感結構、與第二源極/漏極結構，第一柵極結構位于正面上，光傳感結構與第二源極/漏極結構形成于基板中且分別位于第一柵極結構的兩側，第一源極/漏極結構形成于基板中，且第一源極/漏極結構電性連接至第二源極/漏極結構。方法包括形成光阻擋層于背面上。

技術領域

本公開實施例涉及圖像傳感裝置，更特別涉及避免入射光影響裝置區的結構及其形成方法。

背景技術

半導體集成電路產業已經歷快速生長。集成電路材料與設計的技術進步，使每一代的集成電路比前一代的集成電路更小且電路更復雜。新一代的集成電路具有較大的功能密度(比如固定芯片面積中的內連線裝置數目)，與較小的幾何尺寸(比如工藝形成的最小構件)。這些進展會增加集成電路工藝的復雜度。為達成上述進展，集成電路工藝需類似發展。

除了減少幾何尺寸以達上述優點之外，可直接改進集成電路裝置。這種集成電路裝置之一為圖像傳感裝置。圖像傳感裝置包含像素陣列(或格狀物)，其用于檢測光并記錄檢測到的光強度(亮度)。像素陣列可累積電荷以對應光強度。光強度越高，則像素陣列中累積的電荷越多。接著以累積電荷提供圖像信息(其提供方式可通過其他電路)，以用于適當應用(如數碼相機)。

然而結構尺寸持續縮小，因此越來越難進行工藝。如此一來，如何形成可信且越來越小的圖像傳感裝置為一大挑戰。

發明內容

本公開一實施例提供的圖像傳感裝置的形成方法，包括：提供基板，其中基板具有正面與背面，且基板具有光接收區與裝置區；分別形成第一晶體管與第一源極/漏極結構于光接收區與裝置區中，其中第一晶體管包括第一柵極結構、光傳感結構、與第二源極/漏極結構，第一柵極結構位于正面上，光傳感結構與第二源極/漏極結構形成于基板中且分別位于第一柵極結構的兩側，第一源極/漏極結構形成于基板中，且第一源極/漏極結構電性連接至第二源極/漏極結構；以及形成光阻擋層于背面上，其中光阻擋層覆蓋整個第一源極/漏極結構。

附圖說明

圖1A至圖1E是一些實施例中，用于形成圖像傳感裝置的工藝其多種階段的俯視圖。

圖1A-1是一些實施例中，圖像傳感裝置沿著圖1A中剖線I-I’的剖視圖。

圖1A-2是一些實施例中，圖像傳感裝置沿著圖1A中剖線II-II’的剖視圖。

圖1A-3是一些實施例中，圖像傳感裝置沿著圖1A中剖線III-III’的剖視圖。

圖1B-1是一些實施例中，圖像傳感裝置沿著圖1B中剖線I-I’的剖視圖。

圖1B-2是一些實施例中，圖像傳感裝置沿著圖1B中剖線II-II’的剖視圖。

圖1C-1是一些實施例中，圖像傳感裝置沿著圖1C中剖線I-I’的剖視圖。

圖1D-1是一些實施例中，圖像傳感裝置沿著圖1D中剖線I-I’的剖視圖。

圖1E-1是一些實施例中，圖像傳感裝置沿著圖1E中剖線I-I’的剖視圖。

圖2是一些實施例中，圖像傳感裝置的剖視圖。

圖3是一些實施例中，圖像傳感裝置的剖視圖。

圖4是一些實施例中，圖像傳感裝置的剖視圖。

附圖標記說明：

D1、D2 深度

D3、D4 距離

I-I’、II-II’、III-III’ 剖線