[發明專利]圖像傳感裝置的形成方法在審
| 申請號: | 201810141602.7 | 申請日: | 2018-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN109841639A | 公開(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發明(設計)人: | 鄭允瑋;周俊豪;李國政;黃薰瑩 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 張福根;馮志云 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 源極/漏極 基板 柵極結構 圖像傳感裝置 光傳感結構 光接收區 結構形成 裝置區 晶體管 背面 電性連接 光阻擋層 | ||
1.一種圖像傳感裝置的形成方法,包括:
提供一基板,其中該基板具有一正面與一背面,且該基板具有一光接收區與一裝置區;
分別形成一第一晶體管與一第一源極/漏極結構于該光接收區與該裝置區中,其中該第一晶體管包括一第一柵極結構、一光傳感結構、與一第二源極/漏極結構,該第一柵極結構位于該正面上,該光傳感結構與該第二源極/漏極結構形成于該基板中且分別位于該第一柵極結構的兩側,該第一源極/漏極結構形成于該基板中,且該第一源極/漏極結構電性連接至該第二源極/漏極結構;以及
形成一光阻擋層于該背面上,其中該光阻擋層覆蓋整個該第一源極/漏極結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





