[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法有效
| 申請號: | 201810141286.3 | 申請日: | 2018-02-11 |
| 公開(公告)號: | CN108461423B | 公開(公告)日: | 2022-03-22 |
| 發明(設計)人: | 墨周武;遠藤亨 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 丁文蘊;李平 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
本發明提供一種基板處理裝置和基板處理方法,能夠將從處理液產生的凝結固體煙霧高效排出。基板處理裝置具備基板的保持部件、使保持部件以旋轉軸為中心旋轉的旋轉機構、處理液供給機構、內側保護件、設置于內側保護件的外側的外側保護件、以及包含與流路連通的排氣口并將該流路內的氣體引導至外部的排氣導管,流路的通風阻力在排氣口側比相對于旋轉軸而言與排氣口相反的一側小,內側保護件和外側保護件設置為使得基板的上方的部分中的位于與內側保護件的上端相比的上方并且位于比外側保護件的上端相比的下方的部分的氣體主要從基板的上方朝向排氣口側流動。
技術領域
本發明涉及向半導體晶片、液晶顯示裝置用玻璃基板、等離子體顯示器用玻璃基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用玻璃基板、太陽能電池用基板等(以下僅稱為“基板”)的表面供給處理液的基板處理技術。
背景技術
就半導體裝置等的制造工序而言,為了進行選擇性蝕刻、選擇性離子注入,在基板的表面形成抗蝕劑的圖案。然后,進行用于將抗蝕劑從基板上剝離的抗蝕劑剝離處理。通過液體處理進行抗蝕劑剝離時所使用的抗蝕劑剝離液中,例如使用硫酸與過氧化氫的混合液(硫酸過氧化氫混合液。SPM:sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture)。SPM包含具有強氧化性的過氧單硫酸,并且由于硫酸與過氧化氫混合時生成的反應熱而造成液溫升高,因此發揮高的抗蝕劑去除能力。由于SPM在裝置和處理工藝的容許范圍內越是高溫則抗蝕劑去除能力越提高,因此有時也用加熱器等進一步加熱。
高溫的SPM如果被供給至形成有抗蝕劑圖案的基板的表面,則高溫的SPM與抗蝕劑反應,大量產生氣體狀的SPM凝結固體煙霧(以下也僅稱為“凝結固體煙霧(fume)”),該SPM凝結固體煙霧包含抗蝕劑氧化而成的物質、來源于硫酸的成分、以及由抗蝕劑分解蒸發而成的水的蒸汽等成分,并從基板的表面擴散。產生如下的問題:如果在腔室內浮游的凝結固體煙霧、附著于基板上方的屏蔽板等的凝結固體煙霧附著于基板則會成為顆粒。因此,需要能夠將產生的凝結固體煙霧高效排出的技術。
作為在抗蝕劑剝離工序以外的工序中將由處理液產生的氣體排出的技術,專利文獻1中示出了如下的基板處理裝置:將在顯影工序中從基板上揮發的顯影液所成的氣體從由保護件圍起來的基板的上方空間排出,并且進行顯影處理。該裝置具備保持并旋轉基板的基板旋轉機構、向基板的表面供給處理液的處理液供給機構、將由基板旋轉機構保持的基板圍起來的保護件(也稱為“防濺體”、“罩體”)、將保護件內的氣體排出的排氣機構、設置于保護件中的基板的背面側的排氣口、以及在保護件內沿著基板的周緣形成且將氣體從表面側向背面側引導的流路。該流路構成為通風阻力隨著遠離排氣口而變小。
當流路的通風阻力在基板的周向上均勻時,氣體變得易于通過流路中離排氣口近的部分,與此相對,就專利文獻1的裝置而言,流路構成為通風阻力隨著遠離排氣口而變小。因此,該氣體也容易繞過流路中從排氣口遠離的部分。即,該裝置通過在保護件內設置通風阻力隨著遠離排氣口而變小的流路,使得由揮發的顯影液構成的氣體在從基板的中央部至周緣部的各個位置以均勻的流量流動,實現該氣體的排氣效率的提高。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2015-56626號公報
發明內容
發明所要解決的課題
為了將SPM凝結固體煙霧排出,考慮將顯影工序中應用的專利文獻1的保護件的構成也適用于抗蝕劑剝離工序的方法。然而,與顯影工序中從顯影液揮發的氣體相比,抗蝕劑剝離工序中產生極大量的凝結固體煙霧。因此,使用了專利文獻1的裝置構成時,相對于大量的凝結固體煙霧,裝置的排出能力不足,凝結固體煙霧滯留在保護件圍起來的空間中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





