[發(fā)明專利]基板處理裝置和基板處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810141286.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108461423B | 公開(公告)日: | 2022-03-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 墨周武;遠(yuǎn)藤亨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社斯庫(kù)林集團(tuán) |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 丁文蘊(yùn);李平 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,具備:
保持部件,其以大致水平姿勢(shì)保持基板且能夠以鉛垂方向的旋轉(zhuǎn)軸為中心旋轉(zhuǎn);
旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),其使所述保持部件以所述旋轉(zhuǎn)軸為中心旋轉(zhuǎn);
處理液供給機(jī)構(gòu),其向所述基板的表面供給處理液;
內(nèi)側(cè)保護(hù)件,其具有包圍所述保持部件的周圍并沿著所述旋轉(zhuǎn)軸延伸的筒狀的側(cè)壁,且上端開放;
外側(cè)保護(hù)件,其以與所述內(nèi)側(cè)保護(hù)件之間形成對(duì)所述基板的上方的氣體進(jìn)行引導(dǎo)的流路的方式設(shè)置于所述內(nèi)側(cè)保護(hù)件的外側(cè),并具有包圍所述保持部件的周圍并沿著所述旋轉(zhuǎn)軸延伸的筒狀的側(cè)壁,且上端開放;以及
排氣導(dǎo)管,其包含與形成在所述內(nèi)側(cè)保護(hù)件與所述外側(cè)保護(hù)件之間的所述流路連通的排氣口,向外部引導(dǎo)該流路內(nèi)的氣體,
所述外側(cè)保護(hù)件的上端位于比所述內(nèi)側(cè)保護(hù)件的上端靠上方,
所述外側(cè)保護(hù)件的上端和所述內(nèi)側(cè)保護(hù)件的上端所成的開口與所述旋轉(zhuǎn)軸對(duì)置,
所述外側(cè)保護(hù)件相對(duì)于所述內(nèi)側(cè)保護(hù)件相對(duì)偏心地配置,以使所述內(nèi)側(cè)保護(hù)件的側(cè)壁與所述外側(cè)保護(hù)件的側(cè)壁的間隔在所述排氣口側(cè)比相對(duì)于所述旋轉(zhuǎn)軸而言與所述排氣口相反的一側(cè)寬,
所述內(nèi)側(cè)保護(hù)件和所述外側(cè)保護(hù)件設(shè)置為,使所述流路的通風(fēng)阻力在所述排氣口側(cè)比相對(duì)于所述旋轉(zhuǎn)軸而言與所述排氣口相反的一側(cè)小,與相對(duì)于所述旋轉(zhuǎn)軸而言位于與所述排氣口相反側(cè)的所述開口相比,使所述基板的上方的部分中的位于比所述內(nèi)側(cè)保護(hù)件的上端靠上方且位于比所述外側(cè)保護(hù)件的上端靠下方的部分的氣體主要從所述基板的上方朝向相對(duì)于所述旋轉(zhuǎn)軸而言所述排氣口側(cè)的所述開口流動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
還包括向所述基板供給硫酸的硫酸供給機(jī)構(gòu)和向所述基板供給過(guò)氧化氫的過(guò)氧化氫供給機(jī)構(gòu),
所述內(nèi)側(cè)保護(hù)件的側(cè)壁與所述外側(cè)保護(hù)件的側(cè)壁的間隔調(diào)整為,使硫酸與過(guò)氧化氫混合時(shí)發(fā)生的煙霧橫穿所述基板的上方,并朝向相對(duì)于所述旋轉(zhuǎn)軸而言所述排氣口側(cè)的所述開口流動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述內(nèi)側(cè)保護(hù)件的側(cè)壁的中心軸與所述旋轉(zhuǎn)軸一致,
所述外側(cè)保護(hù)件的側(cè)壁相對(duì)于所述旋轉(zhuǎn)軸向所述排氣口側(cè)偏心。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述外側(cè)保護(hù)件的側(cè)壁的中心軸與所述旋轉(zhuǎn)軸一致,
所述內(nèi)側(cè)保護(hù)件的側(cè)壁相對(duì)于所述旋轉(zhuǎn)軸向與所述排氣口相反的一側(cè)偏心。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述外側(cè)保護(hù)件的側(cè)壁相對(duì)于所述旋轉(zhuǎn)軸向所述排氣口側(cè)偏心,所述內(nèi)側(cè)保護(hù)件的側(cè)壁相對(duì)于所述旋轉(zhuǎn)軸向與所述排氣口相反的一側(cè)偏心。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
在俯視視角中由從所述旋轉(zhuǎn)軸向所述排氣口的中心延伸的假想的射線來(lái)定義第一射線,
并由以所述旋轉(zhuǎn)軸為中心使所述第一射線向所述基板的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)旋轉(zhuǎn)銳角所得到的假想的射線來(lái)定義第二射線,此時(shí),
就所述內(nèi)側(cè)保護(hù)件的側(cè)壁與所述外側(cè)保護(hù)件的側(cè)壁的間隔而言,在俯視視角中所述內(nèi)側(cè)保護(hù)件的側(cè)壁和所述外側(cè)保護(hù)件的側(cè)壁分別與所述第二射線交叉的位置最寬。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述處理液供給機(jī)構(gòu)具備噴嘴,該噴嘴將所述處理液從所述基板的上方排出至所述基板的表面中的相對(duì)于所述基板的中心而言位于所述排氣口側(cè)的液體著落位置,
所述液體著落位置是排出至所述液體著落位置的所述處理液在所述基板的表面所形成的液膜覆蓋所述基板的中心的位置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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