[發明專利]一種采用電子束蒸發技術制備Ga

有效

• 申請號: 201810140108.9
• 申請日: 2018-02-11
• 公開（公告）號: CN108411250B
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 楊陳;張進;蔡長龍;徐均琪
• 申請（專利權）人: 西安工業大學
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/30
• 代理公司: 61114 西安新思維專利商標事務所有限公司
• 代理人: 黃秦芳

1.一種采用電子束蒸發技術制備Ga₂O₃光電薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)、以純度高于99.995%的Ga₂O₃粉為原料，將粉體研磨、造粒后冷壓成型為圓柱樣品,再于100MPa下冷等靜壓成型，壓胚經過500^oC保5h預燒，再在真空度1×10^-1Pa下進行700^oC保溫5h燒結；

2) 、將真空燒結后的壓胚粉碎成3-5mm大小的不規則顆粒，并置于鍍膜真空室中的水冷坩堝中，將真空度抽至1×10^-3Pa；同時對襯底進行加熱，加熱溫度為25^oC；

3)、當真空度和加熱溫度都達到設定要求時，打開通氣閥門，向真空室中通入高純氧氣，純度99.999%，氧氣分壓為1.4×10^-2Pa，并保持相應真空度5min，穩定后再開始鍍膜；

4)、關閉蒸發源擋板，打開電子槍，調整槍燈絲電流至5mA對坩堝中的膜料進行預熔處理，同時調整電子束束斑位置，使膜料顆粒受熱充分而微熔粘連；

5)、打開蒸發源擋板，調整槍燈絲電流至10mA對坩堝中的膜料進行加熱蒸發；

6)、鍍膜完畢，關閉蒸發源擋板，關閉電子槍，保持加熱溫度和氧氣分壓條件不變，使薄膜原位存儲10min，然后降溫取樣。