[發明專利]一種高能離子注入后光刻膠的去除方法

在審

• 申請號: 201810136922.3
• 申請日: 2018-02-09
• 公開（公告）號: CN108305831A
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發明（設計）人: 舒晶;潘冬
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發明提供了一種高能離子注入后光刻膠的去除方法，其中，提供一晶圓，晶圓表面覆蓋有一第一氧化層，還包括以下步驟：于第一氧化層表面形成一第二氧化層；于第二氧化層表面形成一光刻膠層，圖案化光刻膠層，于一預定位置形成工藝窗口；以光刻膠層為掩膜對預定位置進行離子注入；去除光刻膠層；有益效果：對于高能量高劑量離子注入后的光刻膠進行有效去除，避免殘留對后續制程的污染并且有效避免晶圓的損傷。避免高劑量高能量的離子注入后光刻膠去除過程中的殘留，提高產品的良率，避免殘留對后續制程機臺的污染，并有效避免清洗光刻膠過程中對晶圓的損傷而影響器件的性能。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種高能離子注入后光刻膠的去除方法。

背景技術

在晶圓生產的工藝中，常常需要利用光刻膠作為掩膜進行高能量高劑量的離子注入工藝。在經過離子注入后，作為掩膜的光刻膠性質會發生變化，形成硬殼，造成其去除的難度增加。

在現有的技術中，對于高能量高劑量離子注入后光刻膠的去除主要有：

利用等離子體灰化工藝去除硬化外殼的處理方式，例如N₂H₂，O₂，并后續利用硫酸進行光刻膠的去除。

或者增加光刻膠的厚度，使得離子注入后未形成硬殼的光刻膠厚度增加，再進行等離子體灰化工藝去除未變性的光刻膠，以減少光刻膠的殘留。

對于65nm以下技術節點來說，在經過多次的高能量高劑量離子注入以后光刻膠的去除和清洗過程，目前存在以下問題：

對晶圓的表面的Si造成一定的損失或者損傷，對于超淺結的完整性和器件的性能造成影響。

由于離子注入后光刻膠性質的改變使其難以去除，殘留在晶圓表面，對后續制程的機臺造成污染，并且光刻膠殘留形成的缺陷可能對產品的良率造成影響。

發明內容

針對上述問題，本發明提供一種高能離子注入后光刻膠的去除方法，其特征在于，提供一晶圓，所述晶圓表面覆蓋有一第一氧化層，還包括以下步驟：

步驟S1，于所述第一氧化層表面形成一第二氧化層；

步驟S2，于所述第二氧化層表面形成一光刻膠層，圖案化所述光刻膠層，于預定位置形成工藝窗口；

步驟S3，以所述光刻膠層為掩膜對所述預定位置進行離子注入；

步驟S4，去除所述光刻膠層。

其中，所述第二氧化層為二氧化硅層。

其中，所述第二氧化層的厚度為5埃。

其中，形成所述第二氧化層的方式為化學氣相淀積法。

其中，所述步驟S4中去除所述光刻膠層的步驟包括：

步驟S41，對所述光刻膠層進行灰化工藝；

步驟S42，將所述晶圓置于一酸性溶液中浸泡一預定時間；

步驟S43，對所述晶圓進行酸洗工藝，去除所述光刻膠層。

其中，所述灰化工藝使用的等離子體包括N₂H₂和O₂。

其中，所述步驟S43中，所述酸洗工藝使用的溶液包括硫酸和一號標準清洗溶液。

其中，所述步驟S42中，所述酸性溶液為氫氟酸。

其中，所述步驟S42中使用所述酸性溶液將所述第二氧化層完全溶解。