[發明專利]一種高能離子注入后光刻膠的去除方法

在審

• 申請號: 201810136922.3
• 申請日: 2018-02-09
• 公開（公告）號: CN108305831A
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發明（設計）人: 舒晶;潘冬
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種高能離子注入后光刻膠的去除方法，其特征在于，提供一晶圓，所述晶圓表面覆蓋有一第一氧化層，還包括以下步驟：

步驟S1，于所述第一氧化層表面形成一第二氧化層；

步驟S2，于所述第二氧化層表面形成一光刻膠層，圖案化所述光刻膠層，于預定位置形成工藝窗口；

步驟S3，以所述光刻膠層為掩膜對所述預定位置進行離子注入；

步驟S4，去除所述光刻膠層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氧化層為二氧化硅層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氧化層的厚度為5埃。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第二氧化層的方式為化學氣相淀積法。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S4中去除所述光刻膠層的步驟包括：

步驟S41，對所述光刻膠層進行灰化工藝；

步驟S42，將所述晶圓置于一酸性溶液中浸泡一預定時間；

步驟S43，對所述晶圓進行酸洗工藝，去除所述光刻膠層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述灰化工藝使用的等離子體包括N₂H₂和O₂。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟S43中，所述酸洗工藝使用的溶液包括硫酸和一號標準清洗溶液。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟S42中，所述酸性溶液為氫氟酸。

9.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟S42中使用所述酸性溶液將所述第二氧化層完全溶解。