[發(fā)明專利]一種原位檢測(cè)礦物微區(qū)EBSD圖像的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810135010.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108333203B | 公開(公告)日: | 2020-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李瑞;李陽;李雄耀;王世杰;于雯;金宏;莫冰;劉連銀 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院地球化學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào): | G01N23/20025 | 分類號(hào): | G01N23/20025;G01N23/203 |
| 代理公司: | 成都科海專利事務(wù)有限責(zé)任公司 51202 | 代理人: | 郭萍 |
| 地址: | 550081 貴州*** | 國(guó)省代碼: | 貴州;52 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 原位 檢測(cè) 礦物 ebsd 圖像 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種原位檢測(cè)礦物微區(qū)EBSD圖像的方法,采用配置了電子背散射衍射探頭的雙束掃描電鏡進(jìn)行檢測(cè),步驟如下:(1)將樣品置于樣品臺(tái)上,密閉樣品腔并抽真空,選取檢測(cè)區(qū)域;(2)利用FIB功能將選取的檢測(cè)區(qū)域內(nèi)的樣品制成切片,固定在FIB載網(wǎng)上使切片與樣品臺(tái)垂直,利用FIB功能將切片減薄成薄片樣品;(3)①對(duì)薄片樣品進(jìn)行t?EBSD檢測(cè),得到初始厚度下的樣品微區(qū)EBSD圖像;②利用FIB功能對(duì)薄片樣品繼續(xù)減薄,減薄過程中,利用SEM功能實(shí)時(shí)觀察薄片樣品的表面形態(tài),當(dāng)薄片樣品表面出現(xiàn)納米顆粒時(shí),對(duì)出現(xiàn)納米顆粒的區(qū)域進(jìn)行t?EBSD檢測(cè),得到包含納米顆粒的樣品微區(qū)EBSD圖像;③重復(fù)步驟②的操作,得到不同厚度下包含納米顆粒的樣品微區(qū)EBSD圖像。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于天體、地質(zhì)學(xué)礦物電子背散射衍射分析領(lǐng)域,涉及一種原位檢測(cè)礦物微區(qū)EBSD圖像的方法。
背景技術(shù)
電子背散射衍射(Electron Backscattered Diffraction,EBSD)自20世紀(jì)80年代以來得到了眾多材料學(xué)者的關(guān)注,已成為了材料研究不可或缺的手段之一。該技術(shù)通過采集樣品在高能電子束轟擊下產(chǎn)生的電子背散射衍射圖像(Electron BackscatterDiffraction Pattern,EBSP),可以精確、快速定量標(biāo)定晶體顆粒的晶格方位和描述晶體顆粒的邊界、形態(tài)等特征。EBSD技術(shù)與現(xiàn)代掃描電子顯微鏡(SEM)和能譜分析等設(shè)備配合,不僅能實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的形貌觀察和成分分析,而且能對(duì)材料進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)、晶粒取向等晶體學(xué)特征分析和未知礦物相的鑒定。
盡管EBSD方法在SEM分析中具有提供相鑒定、晶粒取向、晶體結(jié)構(gòu)以及晶粒的應(yīng)變以及各類晶界統(tǒng)計(jì)信息等優(yōu)點(diǎn),但它在分析納米尺度晶粒時(shí)仍然有很大的局限性,其較低的空間分辨率一直限制了EBSD技術(shù)的發(fā)展。EBSD分析時(shí)采用的加速電壓通常在15~30kV左右,入射電子與塊體樣品的作用范圍較大,因此其空間分辨率普遍大于100nm。在TEM(透射電子顯微鏡)的選區(qū)電子衍射技術(shù)中,由于樣品較薄或者顆粒尺寸較小,入射電子的橫向擴(kuò)展區(qū)域較小,因此具有較高的空間分辨率,但該技術(shù)對(duì)晶粒取向測(cè)量的精度較低,并且不能做大面積的織構(gòu)及取向分析。近年來不少研究人員嘗試將EBSD與TEM的優(yōu)勢(shì)相結(jié)合,即透射式電子背散射衍射(Transmission Electron Backscattered Diffraction,t-EBSD)技術(shù),期望通過t-EBSD獲得具有高分辨率的EBSD結(jié)果。2012年該技術(shù)得到了實(shí)質(zhì)性的突破,Keller等人利用掃描電鏡從薄膜中獲得透射電子菊池衍射花樣,使用t-EBSD模式在40nm厚的鎳薄膜上鑒定出直徑10nm的鐵鈷納米顆粒[Keller et al,2012]。從近年來的成果中不難發(fā)現(xiàn),t-EBSD技術(shù)目前主要還是應(yīng)用于單相金屬、半導(dǎo)體材料的研究,在地質(zhì)領(lǐng)域中卻鮮見有較大影響力的成果,在地質(zhì)樣品的微量礦物相鑒定、亞微域內(nèi)的高壓應(yīng)變分析、納米級(jí)結(jié)晶學(xué)優(yōu)選方位、晶界位錯(cuò)滑移等方面都缺乏關(guān)鍵性的檢測(cè)技術(shù)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院地球化學(xué)研究所,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院地球化學(xué)研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810135010.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
- 伸縮臂架原位信號(hào)發(fā)生裝置、長(zhǎng)度校正系統(tǒng)及工程機(jī)械
- 原位雜交方法
- 一種原子力顯微鏡導(dǎo)電探針原位加熱、原位表征納米塞貝克系數(shù)的裝置
- 一種基于原位分析技術(shù)研究材料損傷微觀機(jī)理的實(shí)驗(yàn)方法
- 原位紅外表征氣體水合物生成和分解過程的裝置及其使用方法
- 升級(jí)裝置及車載智能設(shè)備系統(tǒng)
- 一種用于修復(fù)污染土壤和地下水的原位注入一體井裝置
- 一種用于紫外和熒光同時(shí)原位檢測(cè)的反應(yīng)池
- 一種污染場(chǎng)地原位修復(fù)藥劑及施工方法
- 一種管模擬原位生物修復(fù)裝置及其方法
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
- 檢測(cè)方法、檢測(cè)裝置和檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法以及記錄介質(zhì)
- 檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)設(shè)備及檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)組件、檢測(cè)裝置以及檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法及檢測(cè)程序
- 檢測(cè)電路、檢測(cè)裝置及檢測(cè)系統(tǒng)
- 一種準(zhǔn)原位EBSD技術(shù)研究合金基帶再結(jié)晶及立方織構(gòu)形成機(jī)理的方法
- 一種用于EBSD測(cè)試的樣品臺(tái)
- 一種原位檢測(cè)礦物微區(qū)EBSD圖像的方法
- 一種用于EBSD測(cè)試的復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用
- 一種超細(xì)晶鋼EBSD樣品的制備方法
- 一種室溫下制備純鈦EBSD試樣的方法
- 一種含噪聲EBSD數(shù)據(jù)中無噪聲相圖的人工智能預(yù)測(cè)方法
- 一種自動(dòng)感應(yīng)掃描電鏡ebsd探頭
- 一種基于掃描電鏡準(zhǔn)原位拉伸EBSD與DIC信號(hào)同步采集的測(cè)試方法
- 一種EBSD金相圖像晶粒識(shí)別方法及裝置





