[發(fā)明專利]氧化硅膜和氮化硅膜的表面處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810134901.8
• 申請(qǐng)日: 2018-02-09
• 公開（公告）號(hào): CN108346572B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧朋;李松舉;祝漢泉;謝志生;蘇君海;李建華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/311
• 分類號(hào): H01L21/311;H01J37/32
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 葉劍

一種氧化硅膜和氮化硅膜的表面處理方法，包括如下步驟：在真空腔室內(nèi)，對(duì)第一混合氣體進(jìn)行第一次電離操作，得到第一等離子體，采用第一等離子體對(duì)基板上的氧化硅膜和氮化硅膜進(jìn)行第一次刻蝕操作；第一混合氣體為氧氣和四氟化碳，第一混合氣體進(jìn)氣口對(duì)應(yīng)于基板的中心位置；在真空腔室內(nèi)，對(duì)第二混合氣體進(jìn)行第二次電離操作，得到第二等離子體，采用第二等離子體對(duì)基板上的氧化硅膜和氮化硅膜進(jìn)行第二次刻蝕操作；第二混合氣體為碳氟氣體、氫氣和氬氣，四個(gè)第二混合氣體進(jìn)氣口與基板的四個(gè)邊角一一對(duì)應(yīng)。上述表面處理方法，能夠較好地使得基板表面的氧化硅膜和氮化硅膜進(jìn)一步地被刻蝕修復(fù)，能夠解決氧化硅膜和氮化硅膜層加厚問題、多鍍問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種氧化硅膜和氮化硅膜的表面處理方法。

背景技術(shù)

隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅技術(shù))生產(chǎn)中對(duì)刻蝕圖案精度要求越來越高，相應(yīng)膜層結(jié)構(gòu)也越來復(fù)雜，目前一般的電路圖案制作流程是經(jīng)過成膜—成像—刻蝕—脫膜，以完成一道圖案制作工序，從而得到設(shè)計(jì)所需要的刻蝕圖案。

然而，在成膜SiN₂(氮化硅)和/或SiO₂(氧化硅)膜生產(chǎn)過程中，會(huì)出現(xiàn)因工藝/設(shè)備等問題導(dǎo)致的氧化硅膜和/或氮化硅膜層加厚，或者因操作問題導(dǎo)致氧化硅膜和氮化硅膜層存在多鍍問題。加厚的膜層或者多鍍的膜層會(huì)降低產(chǎn)品良率，膜層加厚會(huì)影響后續(xù)刻蝕的時(shí)間，導(dǎo)致后續(xù)正常刻蝕時(shí)出現(xiàn)殘留或刻蝕膜層不到位，從而導(dǎo)致產(chǎn)品出現(xiàn)質(zhì)量問題，甚至出現(xiàn)報(bào)廢的問題，徒增制造成本。而膜厚過高，還會(huì)導(dǎo)致器件電路特性產(chǎn)生變化，如寄生電容、絕緣層鈍化能力等，會(huì)嚴(yán)重影響產(chǎn)品良率，使得產(chǎn)品達(dá)不到設(shè)計(jì)要求。而氧化硅膜和氮化硅膜膜層多鍍是因操作失誤或機(jī)臺(tái)故障導(dǎo)致多鍍了一層膜層，因不能返修，常導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢，影響產(chǎn)品良率，提升了產(chǎn)品的制造成本。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種能夠解決氧化硅膜和氮化硅膜層加厚問題、能夠解決氧化硅膜和氮化硅膜層多鍍問題以及修復(fù)后膜層表面均勻性較好的氧化硅膜和氮化硅膜的表面處理方法。

一種氧化硅膜和氮化硅膜的表面處理方法，包括如下步驟：

在真空腔室內(nèi)，對(duì)第一混合氣體進(jìn)行第一次電離操作，得到第一等離子體，采用所述第一等離子體對(duì)基板上的氧化硅膜和氮化硅膜進(jìn)行第一次刻蝕操作；其中，所述第一混合氣體為氧氣和四氟化碳，所述真空腔室內(nèi)側(cè)壁上設(shè)置有第一混合氣體進(jìn)氣口，所述第一混合氣體進(jìn)氣口對(duì)應(yīng)于所述基板的中心位置；

在真空腔室內(nèi)，對(duì)第二混合氣體進(jìn)行第二次電離操作，得到第二等離子體，采用所述第二等離子體對(duì)基板上的氧化硅膜和氮化硅膜進(jìn)行第二次刻蝕操作；其中，所述第二混合氣體為碳氟氣體、氫氣和氬氣，所述真空腔室內(nèi)側(cè)壁上設(shè)置有四個(gè)第二混合氣體進(jìn)氣口，四個(gè)所述第二混合氣體進(jìn)氣口與所述基板的四個(gè)邊角一一對(duì)應(yīng)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一次刻蝕操作刻蝕所述基板上65％～75％的區(qū)域，所述第二次刻蝕操作刻蝕所述基板上剩余部分的區(qū)域。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一次刻蝕操作刻蝕基板上70％的區(qū)域，所述第二次刻蝕操作刻蝕所述基板上剩余部分的區(qū)域。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述碳氟氣體為C₂H₅、C₂HF₅、C₄F₈、C₅F₈、CHF₃和CH₂F₂中的至少一種。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一混合氣體中，所述氧氣的流量為20sccm～200sccm，所述四氟化碳的流量為300～2000sccm。