[發明專利]氧化硅膜和氮化硅膜的表面處理方法

有效

• 申請號: 201810134901.8
• 申請日: 2018-02-09
• 公開（公告）號: CN108346572B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 盧朋;李松舉;祝漢泉;謝志生;蘇君海;李建華
• 申請（專利權）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01J37/32
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 葉劍

1.一種氧化硅膜和氮化硅膜的表面處理方法，其特征在于，包括如下步驟：

在真空腔室內，對第一混合氣體進行第一次電離操作，得到第一等離子體，采用所述第一等離子體對基板上的氧化硅膜和氮化硅膜進行第一次刻蝕操作；其中，所述第一混合氣體為氧氣和四氟化碳，所述真空腔室內側壁上設置有第一混合氣體進氣口，所述第一混合氣體進氣口對應于所述基板的中心位置；

在真空腔室內，對第二混合氣體進行第二次電離操作，得到第二等離子體，采用所述第二等離子體對基板上的氧化硅膜和氮化硅膜進行第二次刻蝕操作；其中，所述第二混合氣體為碳氟氣體、氫氣和氬氣，所述真空腔室內側壁上設置有四個第二混合氣體進氣口，四個所述第二混合氣體進氣口與所述基板的四個邊角一一對應。

2.根據權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，所述第一次刻蝕操作刻蝕所述基板上65％～75％的區域，所述第二次刻蝕操作刻蝕所述基板上剩余部分的區域。

3.根據權利要求2所述的表面處理方法，其特征在于，所述第一次刻蝕操作刻蝕基板上70％的區域，所述第二次刻蝕操作刻蝕所述基板上剩余部分的區域。

4.根據權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，所述碳氟氣體為C₂H₅、C₂HF₅、C₄F₈、C₅F₈、CHF₃和CH₂F₂中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，所述第一混合氣體中，所述氧氣的流量為20sccm～200sccm，所述四氟化碳的流量為300sccm～2000sccm。

6.根據權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，所述第二混合氣體中，所述碳氟氣體的流量為80sccm～200sccm，所述氫氣的流量為20sccm～60sccm，所述氬氣的流量為100sccm～300sccm。

7.根據權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，所述第一次電離操作中，所述真空腔室內的壓強為1.33帕。

8.根據權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，所述第二次電離操作中，所述真空腔室內的壓強為5.32帕。

9.根據權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，在所述第二次刻蝕操作之后，所述表面處理方法還包括如下步驟：

對基板上的氧化硅膜和氮化硅膜進行稀氫氟酸水洗操作。

10.根據權利要求9所述的表面處理方法，其特征在于，所述稀氫氟酸中氫氟酸的質量濃度為0.1％-1％。