[發明專利]陣列基板及其驅動方法和制造方法

有效

• 申請號: 201810134567.6
• 申請日: 2018-02-09
• 公開（公告）號: CN108363253B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 許卓;白雅杰;金熙哲;吳海龍;但藝;付劍波;張玉青
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G09G3/36
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉薇;李崢

本發明的實施例公開了陣列基板及其驅動方法和制造方法。陣列基板包括襯底、多條第一掃描線、多條第二掃描線、多條數據線、公共電極線和多個像素單元。像素單元包括第一電極、第二電極、開關晶體管、共享晶體管和共享電容。開關晶體管的第一極與第二電極耦接，第二極與數據線耦接，底柵極與第一掃描線耦接，頂柵極與第二掃描線耦接，開關晶體管被配置為根據來自底柵極的第一掃描信號和來自頂柵極的第二掃描信號，將來自數據線的數據信號傳遞至第二電極。共享晶體管的第一極與相鄰的下一行像素單元的第二電極耦接，柵極與開關晶體管的底柵極或者頂柵極耦接。共享電容包括第一電容，第一電容被耦接在公共電極線和共享晶體管的第二極之間。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體地，涉及陣列基板及其驅動方法和制造方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術

液晶顯示器(LCD)具有低輻射、體積小及低耗能等優點，被廣泛地應用在筆記本電腦、平面電視或移動電話等電子產品中。

目前，液晶顯示器已經發展出扭轉向列(TN)型、高級超維場開關(ADS)型、高開口率且高級超維場開關(HADS)型和平面內開關(IPS)型等多種類型，其驅動模式和顯示效果不盡相同，各有所長。

在各種類型中，ADS型液晶顯示器將公共電極和像素電極都設置在陣列基板上，因其具有寬視角、高開口率、高透過率等優點而被廣泛應用。ADS技術主要通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優點。HADS(高開口率-高級超維場轉換)是ADS技術中的一種重要實現形式，其開口率更高。

發明內容

本發明的實施例提供了一種陣列基板及其驅動方法和制造方法、顯示面板和顯示裝置。

根據本發明的第一方面，提供了一種陣列基板，包括：襯底、多條第一掃描線，多條第二掃描線，多條數據線，公共電極線以及多個像素單元。像素單元包括：第一電極、第二電極、開關晶體管、共享晶體管和共享電容。開關晶體管的第一極與第二電極耦接，第二極與數據線耦接，底柵極與第一掃描線耦接，頂柵極與第二掃描線耦接，開關晶體管被配置為根據來自底柵極的第一掃描信號和來自頂柵極的第二掃描信號，將來自數據線的數據信號傳遞至第二電極。共享晶體管的第一極與相鄰的下一行像素單元的第二電極耦接，柵極與開關晶體管的底柵極或者頂柵極耦接。共享電容包括第一電容，第一電容被耦接在公共電極線和共享晶體管的第二極之間。

在本發明的實施例中，共享電容還包括第二電容。第二電容被耦接在共享晶體管的第二極和浮接線之間，浮接線與開關晶體管的頂柵極同層設置。

在本發明的實施例中，多個像素單元的第一電極形成整面連續分布的電極。

在本發明的實施例中，多個像素單元的第一電極是彼此分離的，陣列基板還包括連接層，連接層與開關晶體管的頂柵極同層設置，并被配置為耦接多個像素單元的第一電極。

在本發明的實施例中，共享晶體管的柵極與開關晶體管的底柵極耦接。共享晶體管的第一極和第二極在襯底的正投影落在共享晶體管的有源層在襯底的正投影范圍內，共享晶體管的第一極、第二極和有源層在襯底的正投影落在共享晶體管的柵極在襯底的正投影范圍內。

在本發明的實施例中，共享晶體管的柵極與開關晶體管的頂柵極耦接。陣列基板還包括與開關晶體管的底柵極同層設置的遮蔽層。共享晶體管的第一極、第二極和柵極在襯底的正投影落在共享晶體管的有源層在襯底的正投影范圍內，共享晶體管的第一極、第二極、柵極和有源層在襯底的正投影落在遮蔽層在襯底的正投影范圍內。