[發明專利]陣列基板及其驅動方法和制造方法有效
| 申請號: | 201810134567.6 | 申請日: | 2018-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN108363253B | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | 許卓;白雅杰;金熙哲;吳海龍;但藝;付劍波;張玉青 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G09G3/36 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 劉薇;李崢 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 驅動 方法 制造 | ||
1.一種陣列基板,包括:
襯底,
多條第一掃描線,
多條第二掃描線,
多條數據線,
公共電極線,以及
多個像素單元,
其中,所述像素單元包括:
第一電極;
第二電極;
開關晶體管,其中,所述開關晶體管的第一極與所述第二電極耦接,第二極與數據線耦接,底柵極與第一掃描線耦接,頂柵極與第二掃描線耦接,所述開關晶體管被配置為根據來自所述底柵極的第一掃描信號和來自所述頂柵極的第二掃描信號,將來自所述數據線的數據信號傳遞至所述第二電極;
共享晶體管,其中,所述共享晶體管的第一極與相鄰的下一行像素單元的第二電極耦接,柵極與所述開關晶體管的底柵極或者頂柵極耦接;以及
共享電容,其包括第一電容,所述第一電容被耦接在所述公共電極線和所述共享晶體管的第二極之間。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,所述共享電容還包括第二電容,所述第二電容被耦接在所述共享晶體管的第二極和浮接線之間,
其中,所述浮接線與所述開關晶體管的頂柵極同層設置。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,所述多個像素單元的第一電極形成整面連續分布的電極。
4.根據權利要求2所述的陣列基板,其中,所述多個像素單元的第一電極形成整面連續分布的電極。
5.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,所述多個像素單元的第一電極是彼此分離的,
其中,所述陣列基板還包括連接層,所述連接層與所述開關晶體管的頂柵極同層設置,并被配置為耦接所述多個像素單元的第一電極。
6.根據權利要求2所述的陣列基板,其中,所述多個像素單元的第一電極是彼此分離的,
其中,所述陣列基板還包括連接層,所述連接層與所述開關晶體管的頂柵極同層設置,并被配置為耦接所述多個像素單元的第一電極。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的陣列基板,其中,所述共享晶體管的柵極與所述開關晶體管的底柵極耦接,
其中,所述共享晶體管的第一極和第二極在所述襯底的正投影落在所述共享晶體管的有源層在所述襯底的正投影范圍內,所述共享晶體管的第一極、第二極和有源層在所述襯底的正投影落在所述共享晶體管的柵極在所述襯底的正投影范圍內。
8.根據權利要求1至6中任一項所述的陣列基板,其中,所述共享晶體管的柵極與所述開關晶體管的頂柵極耦接;
其中,所述陣列基板還包括與所述開關晶體管的底柵極同層設置的遮蔽層,其中,所述共享晶體管的第一極、第二極和柵極在所述襯底的正投影落在所述共享晶體管的有源層在所述襯底的正投影范圍內,所述共享晶體管的第一極、第二極、柵極和有源層在所述襯底的正投影落在遮蔽層在所述襯底的正投影范圍內。
9.根據權利要求1至6中任一項所述的陣列基板,其中,所述開關晶體管的第一極和第二極在襯底的正投影與所述開關晶體管的頂柵極在所述襯底的正投影至少部分重疊,所述開關晶體管的頂柵極在所述襯底的正投影落在所述開關晶體管的有源層在所述襯底的正投影范圍內,所述開關晶體管的第一極、第二極、頂柵極和有源層在所述襯底的正投影落在所述開關晶體管的底柵極在所述襯底的正投影范圍內。
10.一種用于驅動如權利要求1-9中任一項所述的陣列基板的方法,包括:
向第n行像素單元的開關晶體管的底柵極提供高電平信號,向其頂柵極提供低電平信號,使得所述第n行像素單元的第二電極開啟,并使得所述第n行像素單元的共享電容和第n+1行像素單元的第二電極發生電荷中和;
向所述第n+1行像素單元的開關晶體管的底柵極提供高電平信號,向其頂柵極提供低電平信號,使得所述第n+1行像素單元的第二電極開啟,所述第n行像素單元的共享電容的電壓保持不變;以及
維持所述第n+1行像素單元的第二電極的電壓不變。
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