[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810134336.5
• 申請日: 2018-02-09
• 公開（公告）號: CN108231802B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉冠顯;陳維翰;蔡佳宏;吳安茹;許世華;涂峻豪;劉竹育
• 申請（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種像素結(jié)構(gòu)，包括：

一薄膜晶體管，包括：

一源極與一漏極；

一半導(dǎo)體層，位于該源極與該漏極上且具有一通道，該通道設(shè)置于該源極與該漏極之間，其中該通道具有至少一第一通孔；

一第一絕緣層，位于該半導(dǎo)體層上且具有至少一第二通孔，該至少一第二通孔與該至少一第一通孔重疊；

一第二絕緣層，位于該第一絕緣層上以及該至少一第一通孔與該至少一第二通孔中；以及

一柵極，沿著該第二絕緣層覆蓋；以及

一像素電極，與該薄膜晶體管的該漏極電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該通道具有該至少一第一通孔所定義的多個側(cè)壁，而該第二絕緣層包括：

一第一部分，位于該至少一第一通孔與該至少一第二通孔中，且覆蓋該通道的所述多個側(cè)壁。

3.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一絕緣層具有該至少一第二通孔所定義的多個側(cè)壁，而該第二絕緣層的該第一部分還直接覆蓋該第一絕緣層的所述多個側(cè)壁。

4.如權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一絕緣層的所述多個側(cè)壁與該通道的所述多個側(cè)壁切齊。

5.如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第二絕緣層的該第一部分的具有一凹陷，而該柵極包括：

一第一子?xùn)艠O部，位于該第二絕緣層的該凹陷中且與至少部分的該通道的所述多個側(cè)壁重疊。

6.如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第二絕緣層還包括：

一第二部分，位于該至少一第一通孔與該至少一第二通孔外的該第一絕緣層上，其中該柵極還包括一第二子?xùn)艠O部，該柵極的該第二子?xùn)艠O部位于該第二絕緣層的該第二部分上。

7.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第二絕緣層的相對介電常數(shù)大于或等于該第一絕緣層的相對介電常數(shù)。

8.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一絕緣層的相對介電常數(shù)為ε₁，而2≤ε₁≤3。

9.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第二絕緣層的相對介電常數(shù)為ε₂，而2.5≤ε₂≤15。

10.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該半導(dǎo)體層包括有機(jī)半導(dǎo)體材料。

11.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括：

一數(shù)據(jù)線，與該薄膜晶體管的該源極電性連接；以及

一掃描線，與該薄膜晶體管的該柵極電性連接，其中該柵極與該源極、該漏極、該通道的該至少一第一通孔以及該第一絕緣層的該至少一第二通孔重疊設(shè)置。