[發(fā)明專利]低色偏像素單元及其設(shè)計方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810132216.1
• 申請日: 2018-02-09
• 公開（公告）號: CN108415200B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳永良
• 申請（專利權(quán)）人: 咸陽彩虹光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12
• 代理公司: 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

本發(fā)明涉及一種低色偏像素單元及其設(shè)計方法。該低色偏像素單元包括至少一個具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的子像素，所述第一區(qū)域包括第一晶體管，所述第二區(qū)域包括第二晶體管以及第三晶體管，且所述第一晶體管具有第一有源層，所述第二晶體管具有第二有源層，所述第三晶體管具有第三有源層，其中，所述第一有源層、所述第二有源層由至少兩種半導(dǎo)體材料組成。本發(fā)明提供的低色偏像素單元，將多疇子像素的不同區(qū)域的TFT晶體管設(shè)計為遷移率不同的半導(dǎo)體材料，實現(xiàn)TFT晶體管充電電流比例要求，完成子像素不同區(qū)域像素電極的電壓差，解決了液晶顯示裝置的色偏問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種低色偏像素單元及其設(shè)計方法。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)由于具有輕、薄及低輻射等優(yōu)點，廣泛地應(yīng)用于各種終端產(chǎn)品中。常見的液晶顯示裝置可以應(yīng)用于計算機、智能電話、手機、汽車導(dǎo)航裝置、電子書等產(chǎn)品的顯示屏中。

垂直配向(Vertical Alignment，VA)模式是一種具有高對比度、無須摩擦配向等優(yōu)勢的液晶顯示面板經(jīng)常采用的顯示模式，但由于VA模式采用垂直轉(zhuǎn)動的液晶，液晶分子雙折射率的差異比較大，導(dǎo)致大視角下的色偏(color shift)問題比較嚴(yán)重?，F(xiàn)有的液晶顯示裝置為了獲得更好的廣視角特性，改善色偏問題，通常會采取多疇(multi-domain)像素設(shè)計。在同一個子像素內(nèi)主區(qū)的多疇與次區(qū)的多疇的液晶分子轉(zhuǎn)動角度不一樣，從而改善色偏。具體地，在一個子像素內(nèi)設(shè)置三個薄膜晶體管(稱為3T架構(gòu)像素驅(qū)動電路)，除用于向主區(qū)像素電極充電的薄膜晶體管(TFT晶體管)、向次區(qū)像素電極充電的薄膜晶體管以外，次區(qū)內(nèi)還設(shè)置一放電薄膜晶體管，用于將次區(qū)像素電極的部分電荷放電至陣列基板側(cè)公共電極上，使得主區(qū)與次區(qū)的電壓不同，顯示亮度不同，達(dá)到降低色偏的目的。

次區(qū)像素電極充電薄膜晶體管以及放電薄膜晶體管的電流比例有一定的要求，通常通過調(diào)整薄膜晶體管的寬長比(W/L)來實現(xiàn)。但是，隨著像素尺寸的不斷縮小，放電薄膜晶體管的尺寸受到制造能力與制造缺陷的限制(尺寸越小，缺陷越大)，不能同步縮小，常見的限制約為W＝4um L＝4um，受到充電薄膜晶體管以及放電薄膜晶體管的比例限制，充電薄膜晶體管將無法縮小尺寸而影響開口率、數(shù)據(jù)線負(fù)載電容、掃描線負(fù)載電容，進(jìn)而影響產(chǎn)品性能。因此，如何能在保持薄膜晶體管的寬長比的前提下，設(shè)計出新的低色偏像素的設(shè)計方式，成為亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明提供了一種低色偏像素單元及其設(shè)計方法，能夠在保持薄膜晶體管的寬長比的前提下改善像素的色偏問題。

本發(fā)明的一個實施例提供了一種低色偏像素單元，包括：

至少一個具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的子像素，

所述第一區(qū)域包括第一晶體管，所述第二區(qū)域包括第二晶體管以及第三晶體管，且所述第一晶體管具有第一有源層，所述第二晶體管具有第二有源層，所述第三晶體管具有第三有源層，

其中，所述第一有源層、所述第二有源層由至少兩種半導(dǎo)體材料組成。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一晶體管、所述第二晶體管以及所述第三晶體管為TFT晶體管。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一有源層半導(dǎo)體材料包括Poly-Si材料，所述第二有源層半導(dǎo)體材料包括Poly-Si材料，所述第三有源層半導(dǎo)體材料包括a-Si材料。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一晶體管以及所述第二晶體管的遷移率為所述第三晶體管的遷移率的2～20倍。

本發(fā)明的另一個實施例提供了一種低色偏像素單元設(shè)計方法，應(yīng)用于上述實施例的像素單元，包括：

利用Poly-Si材料分別形成所述第一晶體管的至少一部分第一有源層以及所述第二晶體管的至少一部分第二有源層；