[發明專利]低色偏像素單元及其設計方法

有效

• 申請號: 201810132216.1
• 申請日: 2018-02-09
• 公開（公告）號: CN108415200B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 吳永良
• 申請（專利權）人: 咸陽彩虹光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種低色偏像素單元設計方法，其特征在于，該低色偏像素單元包括至少一個具有第一區域和第二區域的子像素，所述第一區域包括第一晶體管，所述第二區域包括第二晶體管以及第三晶體管，且所述第一晶體管具有第一有源層，所述第二晶體管具有第二有源層，所述第三晶體管具有第三有源層，其中，所述第一有源層、所述第二有源層由至少兩種半導體材料組成，所述設計方法包括：

利用Poly-Si材料分別形成所述第一晶體管的至少一部分第一有源層以及所述第二晶體管的至少一部分第二有源層；

利用a-Si材料形成所述第三晶體管的第三有源層。

2.根據權利要求1所述的設計方法，其特征在于，利用Poly-Si材料分別形成所述第一晶體管的至少一部分第一有源層以及所述第二晶體管的至少一部分第二有源層，包括：

選取a-Si材料分別形成所述第一晶體管的初始第一有源層以及所述第二晶體管的初始第二有源層；

利用激光退火工藝對所述初始第一有源層以及所述初始第二有源層進行處理，將至少一部分所述a-Si材料轉化為所述Poly-Si材料；

最終利用轉化的所述Poly-Si材料分別形成所述第一晶體管的至少一部分第一有源層以及所述第二晶體管的至少一部分第二有源層。

3.根據權利要求2所述的設計方法，其特征在于，利用激光退火工藝對所述初始第一有源層以及所述初始第二有源層進行處理，包括：

產生預定波長的激光；

利用所述激光對所述初始有源層進行局部處理。

4.根據權利要求3所述的設計方法，其特征在于，產生預定波長的激光還包括：

通過聚焦透鏡對所述激光進行聚光，其中，所述聚焦透鏡的材料為石英玻璃。

5.根據權利要求4所述的設計方法，其特征在于，所述聚焦透鏡的N/A值為0.1~1。

6.根據權利要求4所述的設計方法，其特征在于，所述激光的主波長為308nm、313nm、248nm或365nm，積光量為200~800mJ/cm²。