[發明專利]硬掩模用組合物在審

申請號：	201810130570.0	申請日：	2018-02-08
公開（公告）號：	CN108508702A	公開（公告）日：	2018-09-07
發明（設計）人：	梁敦植;梁振錫;樸根永;崔漢永;崔相俊	申請（專利權）人：	東友精細化工有限公司;崔相俊
主分類號：	G03F7/11	分類號：	G03F7/11
代理公司：	北京銀龍知識產權代理有限公司 11243	代理人：	金鮮英;宋海花
地址：	韓國全***	國省代碼：	韓國;KR
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摘要：
搜索關鍵詞：	硬掩模氫原子取代耐蝕刻性聚合物平坦性氫原子萘二基溶劑苯基萘基自由
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【說明書】：

本發明提供一種硬掩模用組合物，其通過包含含有下述化學式1的重復單元的聚合物及溶劑，從而能夠形成平坦性、溶解性和耐蝕刻性同時提高的硬掩模。化學式1中，Ar₁和Ar₂各自獨立地為苯二基或萘二基，Ar₃和Ar₄各自獨立地為苯基或萘基，Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄的氫原子各自獨立地可以被羥基取代，選自由Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄組成的組中的至少兩個可以將彼此的氫原子取代而連接形成環，n為1～200的整數。化學式1

技術領域

本發明涉及一種硬掩模用組合物。

背景技術

例如，在半導體制造、微電子等領域中，電路、配線、絕緣圖案之類的結構物的集成度正在持續增大。因此，用于上述結構物的微細圖案化的光刻工序也被一同開發。

一般而言，在蝕刻對象膜上涂布光致抗蝕劑而形成光致抗蝕劑層，通過曝光及顯影工序而形成光致抗蝕劑圖案。接著，將上述光致抗蝕劑圖案用作蝕刻掩模，將上述蝕刻對象膜部分地去除，從而可以形成預定的圖案。在進行對于上述蝕刻對象膜的圖像轉印后，上述光致抗蝕劑圖案可以通過灰化(ashing)和/或剝離(strip)工序而被去除。

為了抑制上述曝光工序中由光反射引起的分辨率降低，可以在上述蝕刻對象膜和上述光致抗蝕劑層之間形成防反射涂布(anti-refractive coating；ARC)層。該情況下，會追加對于上述ARC層的蝕刻，因此上述光致抗蝕劑層或光致抗蝕劑圖案的消耗量或蝕刻量可能會增加。此外，上述蝕刻對象膜的厚度增加或形成期望的圖案時所需的蝕刻量增加的情況下，可能無法確保所要求的上述光致抗蝕劑層或光致抗蝕劑圖案的充分的耐蝕刻性。

因此，為了確保用于形成期望的圖案的光致抗蝕劑的耐蝕刻性和蝕刻選擇比，可以在上述蝕刻對象膜和上述光致抗蝕劑層之間追加抗蝕劑下部膜。

上述抗蝕劑下部膜需要具有例如對于高溫蝕刻工序的充分的耐蝕刻性(etchingresistance)、耐熱性，此外，有必要通過例如旋涂工序以均勻的厚度形成。

韓國公開專利第10-2010-0082844號公開了抗蝕劑下部膜形成組合物的一例。

現有技術文獻

專利文獻

韓國公開專利第10-2010-0082844號

發明內容

所要解決的課題

本發明的一課題在于，提供能夠形成具有優異的耐蝕刻性、溶解性和平坦性的硬掩模的硬掩模用組合物。

解決課題的方法

1.一種硬掩模用組合物，其包含含有下述化學式1的重復單元的聚合物及溶劑，

[化學式1]

(式中，Ar₁和Ar₂各自獨立地為苯二基(phendiyl)或萘二基(naphthalendiyl)，Ar₃和Ar₄各自獨立地為苯基(phenyl)或萘基(naphthalenyl)，Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄的氫原子各自獨立地可以被羥基取代，選自由Ar₁、Ar₂、Ar₃和Ar₄組成的組中的至少兩個可以將彼此的氫原子取代而連接形成環，n為1～200的整數)。