[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201810127428.0
• 申請日: 2018-02-07
• 公開（公告）號: CN108400130B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 鄭基旭;金桐吾;樸碩漢;尹燦植;李基碩;李昊仁;張燽娟;樸濟民;洪鎮宇
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/535
• 分類號: H01L23/535
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 劉培培;黃隸凡

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

襯底，包括單元區、核心區及位于所述單元區與所述核心區之間的邊界區；

邊界元件隔離層，位于所述邊界區的所述襯底中，所述邊界元件隔離層將所述單元區與所述核心區隔開；

高介電常數介電層，位于所述邊界元件隔離層的至少一部分及所述核心區的所述襯底上；

第一逸出功金屬圖案，包括與所述邊界元件隔離層交疊的第一延伸部，所述第一逸出功金屬圖案位于所述高介電常數介電層上；以及

第二逸出功金屬圖案，包括與所述邊界元件隔離層交疊的第二延伸部，所述第二逸出功金屬圖案的至少一部分位于所述第一逸出功金屬圖案上，且所述第二逸出功金屬圖案的從所述核心區朝所述單元區的方向上延伸的端部與所述邊界元件隔離層交疊，

其中所述第一延伸部在從所述核心區朝所述單元區的所述方向上延伸的第一長度與所述第二延伸部在從所述核心區朝所述單元區的所述方向上延伸的第二長度不同。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述第一長度比所述第二長度短。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，其中

所述高介電常數介電層包括與所述邊界元件隔離層交疊的第三延伸部，且

所述第三延伸部在從所述核心區朝所述單元區的所述方向上延伸的第三長度與所述第二長度相同。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述邊界元件隔離層包括與所述第二延伸部相鄰的凹陷部。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述第一長度比所述第二長度長。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，其中

所述高介電常數介電層包括與所述邊界元件隔離層交疊的第三延伸部，且

所述第三延伸部在從所述核心區朝所述單元區的所述方向上延伸的第三長度與所述第一長度相同。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，其中所述邊界元件隔離層包括與所述第一延伸部相鄰的凹陷部。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中

所述核心區包括第一區及第二區，

所述第一逸出功金屬圖案位于所述第一區的所述高介電常數介電層上，且不位于所述第二區的所述襯底上，以及

所述第二逸出功金屬圖案位于所述第一區的所述第一逸出功金屬圖案上，且位于所述第二區的所述高介電常數介電層上。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，其中

所述第一逸出功金屬圖案包含以下中的至少一者：鎢、鉭、鋁、釕、鉑、氮化鈦、氮化鉭、碳化鈦及碳化鉭，以及

所述第二逸出功金屬圖案包含以下中的至少一者：鑭、鉭、氮化鉭、鈮及氮化鈦。

10.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

襯底，包括單元區、核心區及設置在所述單元區與所述核心區之間的邊界區；

邊界元件隔離層，位于所述襯底的所述邊界區中，以將所述單元區與所述核心區隔開；

高介電常數介電層，位于所述邊界元件隔離層的至少一部分及所述襯底的所述核心區上；

第一逸出功金屬圖案，包括與所述邊界元件隔離層交疊的第一延伸部且位于所述襯底上；以及

第二逸出功金屬圖案，包括與所述邊界元件隔離層交疊的第二延伸部，所述第二逸出功金屬圖案的至少一部分位于所述第一逸出功金屬圖案上，

其中所述邊界元件隔離層包括凹陷部，以及

所述凹陷部不與所述第一延伸部及所述第二延伸部交疊，且所述凹陷部與所述第一延伸部及所述第二延伸部中的至少一者相鄰。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一延伸部在從所述核心區朝所述單元區的方向上延伸的第一長度與所述第二延伸部在從所述核心區朝所述單元區的所述方向上延伸的第二長度相等。