[發明專利]半導體模塊

有效

• 申請號: 201810126719.8
• 申請日: 2018-02-08
• 公開（公告）號: CN108417567B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 木村晃也;井口知洋;佐佐木陽光
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/48
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉英華

提供生產率高并且可靠性高的半導體模塊。實施方式的半導體模塊具備第1基板、第1電路部件、第1連接構件及第1線材。上述第1基板具有絕緣性。上述第1電路部件具有第1導電層、第1開關元件及第1二極管。上述第1連接構件設置在上述第1開關元件的第1電極及上述第1二極管的第4電極上，具有導電性。上述第1線材將上述第1導電層及上述第1連接構件連接。

技術領域

本發明的實施方式涉及半導體模塊。

背景技術

如各種用途的變換器裝置那樣的半導體模塊，小型化正在進展，期望提高裝置內的布局的自由度。并且，在這樣的半導體模塊中，要求較高的生產率，并且要求更高的可靠性。

發明內容

本發明的實施方式，提供生產率高并且可靠性高的半導體模塊。

根據本發明的實施方式，提供具備第1基板、第1電路部件、第1連接構件及第1線材的半導體模塊。上述第1基板具有絕緣性。上述第1電路部件具有第1導電層、第1開關元件及第1二極管。上述第1導電層設置在上述第1基板上。上述第1開關元件設置在上述第1導電層上，具有第1元件部、設置在上述第1元件部的上表面的第1電極、及設置在上述第1元件部的下表面的第2電極及第3電極。上述第1二極管設置在上述第1導電層上，在與上述第1基板的上表面平行的第1方向上與上述第1開關元件分離，具有第2元件部、設置在上述第2元件部的上表面的第4電極及設置在上述第2元件部的下表面的第5電極。上述第1連接構件設置在上述第1電極及上述第4電極上，具有導電性。上述第1線材將上述第1導電層及上述第1連接構件連接。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式的半導體模塊的俯視圖。

圖2是表示第1實施方式的半導體模塊的側視圖。

圖3是表示第1實施方式的半導體模塊的一部分的俯視圖。

圖4A及圖4B是圖3的A1－A2線及B1－B2線的剖視圖。

圖5A及圖5B是圖4A的一部分的放大圖。

圖6A及圖6B是圖4B的一部分的放大圖。

圖7是圖3的一部分的放大剖視圖。

圖8是表示第1實施方式的半導體模塊的制造方法的流程圖。

圖9是表示第2實施方式的半導體模塊的一部分的俯視圖。

圖10A及圖10B是表示第3實施方式的半導體模塊的一部分的剖視圖。

圖11是表示第4實施方式的半導體模塊的俯視圖。

圖12是表示第5實施方式的半導體模塊的俯視圖。

符號說明

1、100、200、300、400…半導體模塊；10…散熱板；15…基板；15a、19s1、20s1、50c1、t1、t2…上表面；19、19A1、19A2、19B1、19B2、19C1、19C2…開關元件；19ce、19ce1、19ce2、20ke、20ke1、20ke2…上表面電極；19e1、20e1、19e2、20e2…元件部；19ge、19ge1、19ge2…控制電極；19me、19me1、19me2、20ae、20ae1、20ae2…下表面電極；19s2、20s2、50b1…下表面；20、20A1、20A2、20B1、20B2、20C1、20C2…二極管；25、25a1、25a2、25b1、25b2、25c1、25c2…安裝部件；25A～25E…安裝基板；30a～30j、30a1～30i1…線材；38…正極端子；39…負極端子；40…輸出端子；50、50a1、50a2…連接構件；60…殼體；60a…底面；60b…側壁；60c1～60c4…支承部；70、70a～70f…焊料層；71…保護層；P、P1～P6、Pr1～Pr3…電路圖案；R1、R2…區域；W1、W2、Wa、Wb、We、Wf…厚度。